【儀表網(wǎng) 儀表產(chǎn)業(yè)】為便于供應(yīng)商及時了解政府采購信息，根據(jù)《財政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》(財庫〔2020〕10號)等有關(guān)規(guī)定，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所2022年2至12月政府采購意向公布，預(yù)算總金額11961.03萬元。
| 序號 | 采購單位 | 采購項目 名稱 | 采購品目 | 采購需求概況 | 預(yù)算金額 (萬元) | 預(yù)計 采購日期 |
| 1 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 2022年度研究所化學(xué)試劑 | A170114-化學(xué)試劑和助劑 | 研究所實驗室化學(xué)試劑采購，滿足研究所實驗需求 | 458.000000 | 2022年03月 |
| 2 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 2022年度研究所危險廢棄物處置 | C160599其他危險廢棄物治理服務(wù) | 研究所危險廢棄物處置采購，滿足相關(guān)法律法規(guī)要求 | 134.000000 | 2022年03月 |
| 3 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 超高速攝像機 | A02090504專業(yè)攝像機和信號源設(shè)備 | 名稱：超高速攝像機 功能及目標： （1）924*768分辨率，最高拍攝速率：5000000fbs （2）快門速度：100ns （3）曝光時間：100ns （4）圖像數(shù)量：180 （5）獨特的uCMOS圖像傳感器具有924*768@700萬幀/秒的超高速圖像連續(xù)拍攝能力，最小曝光50ns。 采購數(shù)量：1臺 能夠清晰的拍攝并記錄粒子的行動軌跡及粒子高速沖擊穿透材料的過程和破壞形態(tài)。超高速攝像機可以捕捉防護材料在高速沖擊過程中的破壞形態(tài)以及粒子穿透材料前后的變化。因此超高速攝像機是當前項目對防護材料進行微觀研究分析的核心設(shè)備。 | 326.000000 | 2022年06月 |
| 4 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 高純氫氣5N | A0999-其他辦公消耗用品及類似物品 | 氫氣，純度5N及以上，高純氫的純度要求指標參照GB/T 3634.2-2011；兩年用量約45萬標準立方；最低供氣壓力13Bar。使用氣體時間：全年365天不能停供。一般為周一至周六白天工作時段送貨。供應(yīng)方式：魚雷車，壓差法計量用量。以實際公告為準。 | 295.000000 | 2022年05月 |
| 5 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 臨時鍵合解鍵合機 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 需采購臨時鍵合解鍵合機，主要功能如下：通過加熱、冷卻及壓力來進行超薄鍵合及解鍵合工藝；可支持4、6、8英寸晶圓的臨時鍵合解鍵合，目的是通過減薄工藝減薄工藝以及通孔技術(shù)開發(fā)，可以優(yōu)化電力電子器件散熱、高頻響應(yīng)等特性。這些問題的有效解決需要配置鍵合解鍵合設(shè)備以滿足一系列復(fù)雜需求。采購數(shù)量為1套，超凈實驗室現(xiàn)有場務(wù)條件：獨立配電柜、真空泵，能夠滿足該設(shè)備正常運行。以實際公告為準。 | 450.000000 | 2022年06月 |
| 6 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 濕氧氧化爐 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 需采購濕氧氧化爐，主要功能如下：可兼容6英寸及以下的垂直腔面激光器水汽氧化；配置N2工藝氣體，常壓水汽氧化工藝。濕氧氧化是垂直腔面發(fā)射激光器制備工藝中最重要的工藝步驟，其氧化結(jié)果對器件性能有著十分重要的影響，可解決氧化均勻性、氧化速率控制等問題，以進一步提升性能、提高良率以達到更高的項目需求。超凈實驗室現(xiàn)有場務(wù)條件：獨立配電柜、循環(huán)水系統(tǒng)以及超純氮氣、氧氣，經(jīng)能夠滿足該設(shè)備正常運行。本設(shè)備無需特殊配套設(shè)備需求。以實際公告為準。 | 450.000000 | 2022年06月 |
| 7 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 單片清洗機 | A02100499-其他分析儀器 | 單片清洗機，具有兆聲清洗功能，氮氣吹掃功能，清洗過程自動控制，可去除晶圓表面納米級顆粒物，采購數(shù)量1臺。以實際公告為準。 | 180.000000 | 2022年03月 |
| 8 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 接觸式光刻機 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 接觸式光刻機，LED光源：150mm區(qū)域光強均勻性±2.5%；具備正面、背面對準；曝光模式：接近、軟接觸、硬接觸、真空接觸；采購數(shù)量1臺。以實際公告為準。 | 198.000000 | 2022年03月 |
| 9 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 高真空回流爐（舊） | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 高真空回流爐（舊），溫度范圍：室溫到500℃；極限真空度：＜10-7mbar；升溫速率：＜200℃/分鐘；降溫速率：＜60℃/分鐘；可進行吸氣劑激活工藝。采購數(shù)量1臺。以實際公告為準。 | 150.000000 | 2022年03月 |
| 10 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 多靶共濺射臺 | A02100499-其他分析儀器 | 多靶共濺射設(shè)備，可以用2種及以上數(shù)量的材料共濺射，實現(xiàn)不同材料、不同比例之間的靈活控制；同時樣品可進行加熱，工藝前去除樣品表面的水汽，以及提高薄膜的致密性等；設(shè)備配置LoadLock，既保證工藝腔的高真空環(huán)境，又能提高工藝效率。8寸兼容小尺寸樣品的磁控濺射鍍膜設(shè)備。以實際公告為準。 | 180.000000 | 2022年03月 |
| 11 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 電子束蒸發(fā)臺 | A02100499-其他分析儀器 | 高均勻性蒸發(fā)設(shè)備，可以用于Al、Ti、Au、AlCu等材料的高均勻性鍍膜工藝，在SAW、BAW器件中，薄膜的高均勻性分布非常關(guān)鍵，直接影響器件的良率。普通蒸發(fā)設(shè)備的均勻性指標只能做到±5％，無法滿足SAW、BAW器件的高均勻性薄膜指標要求。以實際公告為準。 | 190.000000 | 2022年10月 |
| 12 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 低損傷ITO濺射（舊） | A02100499-其他分析儀器 | 實現(xiàn)低電阻率ITO薄膜沉積；實現(xiàn)高透光率的ITO薄膜濺射沉積；實現(xiàn)低的離子損傷，在ITO和GaN等材料的界面處不引入明顯缺陷。以實際公告為準。 | 360.000000 | 2022年02月 |
| 13 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | F404辦公區(qū)裝修工程 | B07-裝修工程 | 擬在研究所F404區(qū)域裝修辦公區(qū)域，配套F1實驗室合作項目人員的辦公區(qū)需求，主要構(gòu)建辦公區(qū)及會議室等公共區(qū)域；目前當區(qū)域為毛坯未裝修，需要按照辦公區(qū)的要求進行相關(guān)內(nèi)部裝修裝飾工作，以滿足相關(guān)場景的使用需求。以實際公告為準。 | 200.000000 | 2022年03月 |
| 14 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 半自動半導(dǎo)體射頻探針臺 | A021199-其他電子和通信測量儀器 | 采購標名稱：半自動半導(dǎo)體射頻探針臺； 實現(xiàn)主要功能：配合高頻測試儀表，實現(xiàn)射頻/毫米波器件測試，包括S參數(shù)測試、負載牽引測試等； 采購標數(shù)量：1； 采購標滿足的質(zhì)量、服務(wù)等要求： （1）測試頻率范圍，可實現(xiàn)從直流到67 GHz射頻測試，后期可升級到110 GHz，最高可升級到500 GHz； （2）EMI屏蔽，> 30 dB (典型值) @ 1 kHz to 1 MHz；光衰減 ≥ 130 dB；光譜噪聲基底 ≤ -180 dBVrms/rtHz (≤ 1 MHz)；系統(tǒng)交流電噪聲 ≤ 5 mVp-p ( ≤ 1 GHz)。 (3) 載物臺溫度，溫控范圍20~200 oC；溫度精度±0.1 oC；溫度均勻性<±0.5 oC（200 oC以內(nèi)）. | 199.000000 | 2022年03月 |
| 15 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 常壓金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購常壓金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備1臺，需滿足生長3片2英寸或1片4英寸的外延片；生長溫度最高1300度，生長壓力最高1000mbar；材料厚度和摻雜均勻性標準差≤3%；材料C和O雜質(zhì)本底濃度≤1E17cm-3；InGaN量子阱發(fā)光波長標準差≤5nm。目的是提高綠光激光器性能的關(guān)鍵是MOCVD生長高質(zhì)量大應(yīng)變的綠光InGaN量子阱有彎曲，解決MOCVD生長過程中綠光InGaN量子阱存在的In偏析和熱穩(wěn)定性差的問題。由于InGaN材料的N汽相壓力高，提高生長壓力有望抑制In的偏析和改善InGaN量子阱的熱穩(wěn)定性。 | 1374.000000 | 2022年12月 |
| 16 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 磁控濺射設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購磁控濺射設(shè)備1臺，需滿足2英寸到6英寸兼容；材料厚度均勻性標準差≤5%；ITO方塊電阻均勻性≤10%，目的是研制高性能綠光激光器的一個難點是解決綠光量子阱增益區(qū)在p型層生長過程中的熱退化問題，途徑之一是需要低溫制備p型限制層，消除綠光量子阱熱退化形成的暗斑缺陷，磁控濺射可以低溫甚至室溫沉積透明導(dǎo)電氧化物作為綠光激光器的p型限制層，有望解決此難題，從而研制高性能的InGaN綠光激光器。沉積工藝損傷小可以獲得低的歐姆接觸電阻，超平整薄膜可以降低透明導(dǎo)電氧化物的光損耗。 | 732.000000 | 2022年12月 |
| 17 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 真空解離與鈍化 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購真空解離與鈍化設(shè)備1臺，需滿足解理室真空度可達5E-10Torr；鈍化室真空度可達2E-10Torr；專用的承片架可滿足bar條12mm-15mm寬度,bar條腔長范圍1.0mm-4.0mm；鈍化室為電子束蒸發(fā)源，配備石英晶振測厚。目的是提高綠光激光器性能的關(guān)鍵問題之一是實現(xiàn)高質(zhì)量的腔面鍍膜，該設(shè)備能夠防止bar條解理過程中腔面氧化導(dǎo)致的后續(xù)工作中出現(xiàn)腔面災(zāi)變。該設(shè)備是實現(xiàn)高功率綠光激光器的必須設(shè)備。 | 555.360000 | 2022年12月 |
| 18 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 原位Mask器件級圖案化分子束外延設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購原位Mask器件級圖案化分子束外延設(shè)備設(shè)備1臺，不僅具備優(yōu)異的二維材料制備功能（可制備石墨烯、硒化物等多種新穎的二維材料），同時具備從材料生長到原型器件制作的能力。滿足條件預(yù)處理室本底真空度優(yōu)于5×10-10 mbar，襯底溫度可達850℃；生長室本底真空度優(yōu)于2×10-10 mbar，襯底溫度可范圍100K至1473K，2英寸襯底上生長的材料均勻性優(yōu)于±1.5% ；掩膜板腔體本底真空度優(yōu)于5×10-10 mbar，掩膜精度2微米。 | 897.000000 | 2022年12月 |
| 19 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 低溫強磁場綜合物性測試設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購低溫強磁場綜合物性測試設(shè)備1臺，需滿足溫度：1.9K-400K，溫控精確度：±1% （從零場到滿場）溫度掃描速率：0.01 - 8 K/min，溫度穩(wěn)定性：±0.2%（< 10 K）；±0.02% （> 10 K ），縱向磁體, 磁場強度：±14T ，場均勻性：0.1% over 5.5 cm×φ1cm柱形空間； 磁場穩(wěn)定性：1 ppm/hr， 掃描速度：最高200Oe/sec.磁場分辨率： <0.3高斯（0<H<1.5T）；<3高斯（1.5T<H<14T），樣品腔真空度10e-5Torr。 | 440.000000 | 2022年12月 |
| 20 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | HF/XeF2氣相刻蝕設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購HF/XeF2氣相刻蝕設(shè)備1臺，需滿足背景真空度1E-9Torr，刻蝕速率100A/min~1000A/min，兩寸樣品上刻蝕均勻性好于10%。 | 200.000000 | 2022年12月 |
| 21 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 脈沖激光沉積設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購脈沖激光沉積設(shè)備1臺，需滿足高壓RHEED 工作氣壓30Pa以下；工作溫度可達1000℃；可實現(xiàn)多靶沉積；樣品臺與靶間距可在60mm-100mm內(nèi)調(diào)節(jié)；目的是制備高質(zhì)量的化合物薄膜，包括氧化物，氮化物，以及其他介電化合物等，是探測器相關(guān)薄膜制備的必備設(shè)備，也是在強關(guān)聯(lián)氧化物薄膜以及相關(guān)異質(zhì)結(jié)制備的特色工具。 | 312.390000 | 2022年12月 |
| 22 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 原位掃描電子顯微鏡 | A02100399-其他光學(xué)儀器 | 擬采購原位掃描電子顯微鏡1臺，環(huán)境掃描電鏡可用于多種材料生長的表面過程實時監(jiān)控，相比于傳統(tǒng)超高真空掃描電鏡，工作氣壓范圍可以由超高真空到 0.8個大氣壓，工作溫度范圍可由室溫至1500℃。環(huán)境掃描電鏡能夠在1200℃以下可實現(xiàn)表面敏感成像，在探測表面催化反應(yīng)過程，二維晶體材料在金屬催化劑表面的演化動態(tài)行為以及原位關(guān)聯(lián)表面動態(tài)行為與材料熱動力行為等研究領(lǐng)域必不可少。 | 280.000000 | 2022年12月 |
| 23 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 原位掃描電子顯微鏡-真空腔體 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購原位掃描電子顯微鏡-真空腔體1套，真空度要求5E-10 mbar。 | 180.000000 | 2022年12月 |
| 24 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備（原位紅外吸收光譜） | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備1臺，UV至THz的寬波段一次性成譜。全新動態(tài)校準UltraScan干涉儀，無摩擦軸承，永久準直，分辨率0.2cm-1，可選好于0.06cm-1;波數(shù)精度優(yōu)于0.005cm-1;高通量光源，靈敏度可達0.001分子單層；真空型，光路真空好于0.1mbar。 | 250.000000 | 2022年12月 |
| 25 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備（原位紅外吸收光譜）-真空腔體 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購鏡面反射吸收紅外-程序升溫脫附設(shè)備（原位紅外吸收光譜）-真空腔體1臺，真空度要求5E-10 mbar。 | 235.940000 | 2022年12月 |
| 26 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 多源有機蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購多源有機蒸發(fā)鍍膜設(shè)備1臺，需滿足水氧指標：小于1ppm，泄露率：小于0.001%vol/h，恢復(fù)工作時間<2小時，控溫精度±1度，極限真空度≤6*10^-5Pa，工作真空度6x10-4 Pa，膜厚探測精度± 0.1 nm。目的是用于金屬以及p-型、n-型、p-型摻雜、n-型摻雜分子半導(dǎo)體薄膜的沉積制備。 | 315.000000 | 2022年12月 |
| 27 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 準原位光譜系統(tǒng) | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購準原位光譜系統(tǒng)1套，真空度要求為5x10-8 Pa，測試光譜范圍為200~1700nm，樣品至窗口距離≤15mm，滿足顯微光譜建設(shè)要求。基于真空互聯(lián)實驗站項目的技術(shù)定位和研究目標以及超高真空環(huán)境下原位無損光學(xué)技術(shù)表征的廣泛需求，提出了超高真空環(huán)境下準原位光譜系統(tǒng)的研發(fā)與建設(shè)。規(guī)劃建設(shè)的光譜測量系統(tǒng)，擬建成如下測試能力：變溫光譜學(xué)能力、顯微光譜測試能力、多光譜掃描成像能力和超高真空及氣氛控制測試能力，故而對精密位移控制、溫度控制、顯微光學(xué)設(shè)計、真空設(shè)計等諸環(huán)節(jié)有著綜合性的技術(shù)要求。 | 341.000000 | 2022年12月 |
| 28 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | MBE-原位生長動力學(xué)研究設(shè)備 | A032199-其他電工、電子專用生產(chǎn)設(shè)備 | 擬采購MBE-原位生長動力學(xué)研究設(shè)備1臺，需滿足生長腔真空度 <2x10-10 mbar; 生長溫度 RT-1000C; 襯底尺寸此設(shè)備主要用于原位分析半導(dǎo)體外延制備過程中的各種動力學(xué)過程，尤其是晶格失配度較大時，薄膜外延應(yīng)力，薄膜生長初期形核形以及原子擴散等機理。 | 600.000000 | 2022年12月 |
| 29 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 超高真空管道 | A02052401-真空獲得設(shè)備 | 擬采購超高真空管道1套，需滿足傳輸室極限真空度：≤2×10-10 Torr； 工作真空度：≤6×10-10 Torr。真空檢漏漏率：≤5×10-11 Torr.L/S。小車在傳輸室內(nèi)運行速度0~3 m/min可調(diào)，小車定位準確、重復(fù)性好、運行平穩(wěn)。真空管道與傳輸系統(tǒng)把各功能設(shè)備相互連接，相當于在地球表面建立了一個太空環(huán)境，解決了傳統(tǒng)超凈間模式中難以解決的塵埃、表面氧化和吸附等污染問題，突破現(xiàn)有儀器設(shè)備的功能限制，實現(xiàn)材料制備、測試分析與微納加工工藝等方面協(xié)同效應(yīng)，為科研和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供先進的、開放性的平臺。 | 450.000000 | 2022年12月 |
| 30 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 液氮 | A0999-其他辦公消耗用品及類似物品 | 擬采購液氮，滿足ULT-STM,4P-STM,O-MBE等設(shè)備日常實驗所需。要求：純度 99.999%并符合規(guī)范《GB/T 8979-2008》中要求；儲槽邊上安裝液位遠程監(jiān)控；在低液位：液氮罐低液位1000mmH2O，高液位4200mmH2O。 | 480.000000 | 2022年06月 |
| 31 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 主園區(qū)廢水處理設(shè)施綠色環(huán)保升級改造項目 | B0599-其他專業(yè)施工 | 升級現(xiàn)有酸堿廢水處理設(shè)施，增加氨氮、磷、COD處理功能，廢水處理量由150提升至200噸/天，符合環(huán)保法規(guī)的要求。 | 173.340000 | 2022年03月 |
| 32 | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 | 主園區(qū)A、B、C科研樓電梯更換改造項目 | B060803-電梯安裝 | 更新8部老化電梯，提高科研保障能力；替換安裝完成后，質(zhì)量合格，取得特種設(shè)備使用登記證 | 375.000000 | 2022年03月 |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。