半導體應變片以壓阻效應為主，半導體是摻雜的單晶硅、鍺、銻化銦等。幾種常用半導體材料的特性見表9。5-5。尤其是以單晶硅zui為常見，力作用在單晶硅上，由于壓阻效應，單晶硅電阻發生變化，單晶硅電阻的變化量與其所在的晶面位置有關，為提高傳感器的靈敏度，應在壓阻系數的晶面上制作壓敏電阻。常用的晶面有[111]，[110]，[100] 。

表9。5-5

名稱		電阻率ρ/Ω.cm	彈性模時E/×10¹¹Pa	靈敏度	晶面
硅	P型	7．8	1．87	175	[111]
硅	N型	11．7	1．23	-132	[100]
鍺	P型	15．0	1．55	102	[111]
	N型	16．6	1．55	-157	[111]
	N型	1．5	1．55	-147	[111]
銻化銦	P型	0．54		-45	[100]
	P型	0．01	0．745	30	[111]
	N型	0．013		74．5	[100]

壓阻式壓力傳感器的結構，其核心為一塊有四個擴散電阻的單晶硅膜片，用一個圓形環固定，將兩個氣室隔開，兩個氣室分別與被測壓力相通，膜上布四個擴散電阻，組成一個測量電橋。

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常用半導體材料的特性

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