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上海龍松半導體高溫高濕試驗箱適用半導體元器件的研發和工藝改進
1、高溫擴散工藝技術的改進（重點是高溫長時間擴散，如隔離擴散）包括可能引起硅片內部隱裂的工藝技術改進
2、包封工藝技術、框架處理工藝技術的改進
3、塑封料、框架的變更
4、新產品（含新的封裝結構）
5、封裝工藝過程中的污染
上海龍松半導體高溫高濕試驗箱試驗的目的：評估器件在高溫，高濕，條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程，同時可附帶評價器件外觀的寢蝕（單純評價器件外觀的寢蝕采用GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5A）
上海龍松半導體高溫高濕試驗滿足以下標準：

GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5
GB/T 2423.3-2006
JESD22-A101C

設計和技術參數(半導體高溫高濕試驗箱系列）
型號		LS-TH-80	LS-TH-120	LS-TH-225	LS-TH-408	LS-TH-504	LS-TH-800	LS-TH-1000
箱體設計
試驗箱內容積（升）		80	120	225	408	504	800	1000
試驗箱內箱容積尺寸（mm）	寬（W)	400	450	600	600	700	1000	1000
	高（H)	500	600	750	850	900	1000	1000
	深（T)	400	450	500	800	800	800	1000
試驗箱外箱尺寸（mm）	寬（W)	1020	1070	1220	1220	1320	1630	1630
	高（H)	1350	1450	1650	1750	1800	1900	1900
	深（T)	630	680	730	1030	1030	1030	1230
溫度試驗參數
溫度	℃	+150
升溫速率（平均）	℃/min	5
溫度波動度	℃	±0.3~0.5
溫度偏差	℃	±0.5~2.0
溫度校準值	℃	+23和+80
濕度試驗參數
溫度范圍	℃	RT+10~+98
溫度波動度	℃	±0.3~0.5
溫度偏差	℃	±0.5~2.0
濕度范圍	%r.h.	20~+98
濕度波動度	%r.h.	±1~3.0
溫度和濕度校準值	℃/%	+23和+125
溫度和濕度校準值	r.h	+95和+50
供電和連接
額定電壓	V	3/N/PE AC 380V ±10% 50Hz
功率	KW	6	6.5	8	10	16	16	18
箱體凈重	kg	300	350	450	500	800	800	850
備注：溫度和濕度值的數據采集是在測試室空載的狀況下由傳感器測得實際測量的溫度值穩定在測量值后，再進行溫度波動的測量根據特殊使用要求可配置特殊電壓升溫速度和降溫速度執行標準依據IEC60068-3-5 以上性能指標是再進水口溫度為25℃，電壓為3/N/PE AC 380V 50Hz下測得



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