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MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體 器 件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數 字 ...

普賽斯高電壓大電流igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）...

GaN射頻功放IV測試脈沖恒壓源支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測量；主要特點有：脈沖電流大，Z高可至10A；脈沖寬度窄，Z小可低至100ns；支持...

霍爾效應是一種電磁感應現象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻...

普賽斯多表合一數字源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術支持；普賽斯儀表是手家國產數字源表生產廠家，產品已經歷3年迭代完善，對標2400、...

普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態測試系統、大功率激...

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

國產源表哪家好,認準普賽斯儀表,高新企業，普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試...

IGBT靜態參數主要包含:柵極-發射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發射極漏電流lGEs、集電極-發射極截止電流lcEs、集電極-發射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導體測試領域的經典產品!

CP系列GaNGaAs高速器件IV測試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測...

普賽斯半導體功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參...

普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

普賽斯全新升級S系列數字源表更大直流,更高精度,科研實驗比備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富,半導體測試領域的經典產品！國產新一代S300B數字源...

普賽斯儀表推出的IGBT擊穿電壓測試高壓源10ms級的上升沿和下降沿；單臺最大3500V的輸出；同步電流測量；

HCPL100型脈沖大電流源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

功率半導體可靠性測試數據采集卡使用高性能ADC芯片，分辨率可達16bits，最高支持2MS/s采樣率。單采集卡支持4通道，且通道間隔離。采集卡可應用于我司3插卡...

實施電性能參數表征分析的工具之一是數字源表（SMU）。數字源表作為獨立的電壓源或電流源，可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號，還可以當作表，進行電壓或者電流測量；支持...

太陽能電池在使用前我們需要對它的一些性能參數做一個測試了解。對于太陽能電池片的測試，我們一般測試電池的開路電壓VOC、短路電流ISC、最大功率Pmax、填充因子...

通常，氣體傳感器 I-V 特性測試需要幾臺儀器完成，如數字表、電壓源、電流源等。然而，由數臺儀器組成的系統需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又...