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當(dāng)前位置：武漢普賽斯儀表有限公司>>產(chǎn)品展示>>半導(dǎo)體器件測(cè)試儀器儀表>>IGBT測(cè)試設(shè)備
武漢普賽斯儀表PMDT系列IGBT全動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開關(guān)延時(shí)...
武漢普賽斯儀表功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀SiC|IGBT測(cè)試可精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半...
功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)...
IGBT單管|模塊測(cè)試機(jī)集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高...
IGBT靜態(tài)測(cè)試大電流通路集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特...
武漢普賽斯IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)...
igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率...
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