【儀表網(wǎng) 儀表上游】因?yàn)槁浜螅耘Α?br /> 

　　在與西方之間持續(xù)的貿(mào)易緊張關(guān)系中，中國(guó)正在加速發(fā)展其國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期變得更加自給自足。目前中國(guó)在IC技術(shù)方面仍然落后，國(guó)內(nèi)芯片制造商仍受制于成熟的代工工藝，距離自力更生還很遙遠(yuǎn)，但它正在取得顯著進(jìn)步。
 

　　中國(guó)代工廠中芯進(jìn)入了14nm finFET市場(chǎng)，研發(fā)能力為7nm。同時(shí)，中國(guó)也在向內(nèi)存領(lǐng)域擴(kuò)張。在制造設(shè)備領(lǐng)域，中國(guó)正在開(kāi)發(fā)自己的極紫外(EUV)光刻系統(tǒng)，該技術(shù)可以對(duì)芯片中進(jìn)的功能進(jìn)行圖案化。盡管中國(guó)不太可能在短期內(nèi)發(fā)展自己的EUV系統(tǒng)，且中國(guó)不會(huì)很快超過(guò)跨國(guó)芯片制造商，但受多方原因驅(qū)動(dòng)，中國(guó)正在大力發(fā)展國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)。
 

　　中國(guó)從外國(guó)供應(yīng)商那里進(jìn)口了大部分芯片，這造成了巨大的貿(mào)易缺口。中國(guó)擁有龐大的集成電路產(chǎn)業(yè)，但規(guī)模還不足以彌合差距。為此，中國(guó)正在向集成電路產(chǎn)業(yè)投入數(shù)十億美元，并計(jì)劃制造更多自己的芯片。簡(jiǎn)而言之，它希望減少對(duì)外國(guó)供應(yīng)商的依賴。中國(guó)近加快了這些努力，特別是當(dāng)美國(guó)與中國(guó)發(fā)動(dòng)多方貿(mào)易戰(zhàn)時(shí)。僅舉一個(gè)例子，美國(guó)使華為更難獲得美國(guó)的芯片和軟件。近，美國(guó)阻止了ASML將EUV掃描儀運(yùn)送給中國(guó)大的晶圓代工廠商SMIC.中國(guó)將這些和其他行動(dòng)視為阻礙中國(guó)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的一種方式，促使中國(guó)加快發(fā)展自己的技術(shù)。
 

　　目前中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的新進(jìn)展包括：
 

　　中芯正在交付14nm finFET,并在研發(fā)中采用類似7nm的工藝。
 

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司(YMTC)近憑借64層設(shè)備進(jìn)入了3D NAND市場(chǎng)。128層技術(shù)正在研發(fā)中。
 

　　長(zhǎng)鑫內(nèi)存(CXMT)正在交付其第一款產(chǎn)品，即19nm DRAM產(chǎn)品線。
 

　　中國(guó)正在向包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的復(fù)合半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)展。
 

　　中國(guó)的OSAT正在開(kāi)發(fā)更高級(jí)的軟件包。
 

　　盡管這一切進(jìn)展喜人，但中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域仍然落后。“中國(guó)的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)很大，中國(guó)的戰(zhàn)略是成為半導(dǎo)體制造業(yè)的參與者。——目前中國(guó)在內(nèi)存中的份額很小，出于安全考慮，希望國(guó)產(chǎn)占有更大份額。從邏輯上來(lái)說(shuō)，中國(guó)遠(yuǎn)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)自給自足。”VLSI Research總裁Risto Puhakka如此說(shuō)。
 

　　這些不是的問(wèn)題。
 

　　D2S產(chǎn)品官Leo Pang表示：“中國(guó)仍然面臨許多挑戰(zhàn)，包括在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域需要更多的人才和IP,還需要進(jìn)一步縮小工藝技術(shù)的差距。而大的挑戰(zhàn)是美國(guó)和中國(guó)政府之間的緊張關(guān)系，這導(dǎo)致制造設(shè)備和EDA軟件供應(yīng)的不確定性。”
 

　　中國(guó)的半導(dǎo)體戰(zhàn)略
 

　　中國(guó)已經(jīng)參與了集成電路行業(yè)數(shù)十年。在1980年代，它有幾家技術(shù)過(guò)時(shí)的國(guó)有芯片制造商。因此，當(dāng)時(shí)中國(guó)推出了一些舉措，以實(shí)現(xiàn)其集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)代化。在外國(guó)關(guān)注的幫助下，該國(guó)在1980年代和1990年代發(fā)起了幾家芯片企業(yè)。
 

　　盡管如此，由于多種原因，中國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)方面仍落后于西方。當(dāng)時(shí)，西方國(guó)家對(duì)中國(guó)實(shí)施了嚴(yán)格的出口管制。禁止設(shè)備供應(yīng)商將進(jìn)的工具運(yùn)往中國(guó)。
 

　　然后在2000年，中國(guó)推出了兩家新興的國(guó)內(nèi)代工廠商——Grace和SMIC.到那時(shí)，中國(guó)的出口管制放松了。設(shè)備供應(yīng)商只需要獲得將工具運(yùn)到中國(guó)的許可證即可。
 

　　大約在那個(gè)時(shí)候，中國(guó)成為了一個(gè)勞動(dòng)力低廉的大型制造業(yè)基地。對(duì)芯片的需求猛增。隨著時(shí)間的流逝，美國(guó)成為大的芯片市場(chǎng)。
 

　　從2000年代后期開(kāi)始，跨國(guó)芯片制造商開(kāi)始在中國(guó)建立晶圓廠以進(jìn)入市場(chǎng)。英特爾，三星和SK海力士在中國(guó)建立了存儲(chǔ)器工廠。臺(tái)積電和聯(lián)電在那建立了晶圓廠。
 

　　根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，到2014年，中國(guó)消費(fèi)了價(jià)值770億美元的芯片，但其中大多數(shù)進(jìn)口。另外，根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，中國(guó)僅生產(chǎn)了這些芯片的15.1%。其余的在中國(guó)境外制造。
 

　　對(duì)此，中國(guó)政府在獲得數(shù)十億美元資金的支持下，于2014年推出了一項(xiàng)新計(jì)劃。目標(biāo)是加快中國(guó)在14nm finFET,存儲(chǔ)器和封裝方面的努力。
 

　　然后，在2015年，中國(guó)又發(fā)起了一項(xiàng)名為“中國(guó)制造2025”的倡議。目標(biāo)是增加10個(gè)領(lǐng)域的零部件的國(guó)內(nèi)含量——IT,機(jī)器人技術(shù)，航空航天，航運(yùn)，鐵路，電動(dòng)汽車，電力設(shè)備，材料，醫(yī)藥和機(jī)械。此外，據(jù)IC Insights稱，中國(guó)希望變得更加自給自足，并希望到2025年將其國(guó)內(nèi)產(chǎn)量提高到70%。
 

　　根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2019年中國(guó)消費(fèi)了價(jià)值1,250億美元的芯片，但仍進(jìn)口了大部分芯片。中國(guó)只生產(chǎn)了這些芯片的15.7%，因此不太可能在2025年之前達(dá)到其生產(chǎn)目標(biāo)。
 

 

中國(guó)集成電路市場(chǎng)與生產(chǎn)趨勢(shì)的關(guān)系，資料來(lái)源：IC Insights
 

　　中國(guó)也面臨其他挑戰(zhàn)，特別是技術(shù)人才短缺。D2S的Leo Pang表示：“中國(guó)仍在尋求更多的半導(dǎo)體制造人才。” “這主要是因?yàn)橹袊?guó)正在建造十二個(gè)新工廠。它已經(jīng)通過(guò)向中國(guó)臺(tái)灣，韓國(guó)，日本乃至美國(guó)的晶圓廠招募了成千上萬(wàn)甚至數(shù)萬(wàn)名經(jīng)驗(yàn)豐富的半導(dǎo)體工程師，并為其支付了非常誘人的薪酬。
 

　　好的一面是，中國(guó)從今年初的Covid-19大流行中迅速?gòu)?fù)蘇。2020年上半年，中國(guó)及其他地區(qū)對(duì)芯片和設(shè)備的需求強(qiáng)勁。“ 200mm的容量已在各種終應(yīng)用中繼續(xù)滿負(fù)荷運(yùn)行。在過(guò)去的一年中，在300mm區(qū)域也出現(xiàn)了類似情況。” UMC業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Walter Ng表示。
 

　　其他人看到類似的趨勢(shì)。“在Covid-19大會(huì)期間，中國(guó)的半導(dǎo)體測(cè)試和封裝市場(chǎng)一直保持韌性。” FormFactor的高級(jí)副總裁Amy Leong說(shuō)。“由于“中國(guó)制造2025”倡議在過(guò)去幾年中建立的勢(shì)頭以及中美緊張局勢(shì)下近的“恐慌促進(jìn)購(gòu)買”，兩者的結(jié)合推動(dòng)了需求的穩(wěn)定。話雖如此，隨著人們對(duì)經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂日益加劇，我們看到中國(guó)需求不確定性的水平正在上升。”
 

　　從2018年開(kāi)始，美國(guó)與中國(guó)發(fā)動(dòng)貿(mào)易戰(zhàn)，對(duì)中國(guó)制成品征收關(guān)稅。如今，貿(mào)易戰(zhàn)正在升級(jí)。去年，美國(guó)將華為及其內(nèi)部芯片部門海思列入了“*”，稱這兩家公司構(gòu)成了安全隱患。與華為開(kāi)展業(yè)務(wù)，一家美國(guó)公司必須獲得美國(guó)政府的許可。許多美國(guó)供應(yīng)商得不到許可，從而導(dǎo)致利潤(rùn)下跌。
 

　　

 

　　Cowen分析師保羅·蓋蘭特(Paul Gallant)表示：“未來(lái)，如果海外工廠滿足以下三個(gè)條件，必須停止對(duì)華為的銷售：A)晶圓廠使用美國(guó)設(shè)備或軟件制造芯片；B)芯片由華為設(shè)計(jì)；C)芯片制造商知道生產(chǎn)的產(chǎn)品是為華為生產(chǎn)的。這要求使用美國(guó)設(shè)備的外國(guó)芯片制造商在向華為出售芯片之前必須獲得許可證。但新規(guī)的措辭可能并沒(méi)有真正禁止此類銷售。有利的一面是，新規(guī)定只涵蓋海思實(shí)際設(shè)計(jì)的芯片，而不是所有海外晶圓廠生產(chǎn)的芯片。”
 

　　現(xiàn)在不好的消息是，臺(tái)積電已經(jīng)中止華為的新訂單。
 

　　擴(kuò)張晶圓代工，研發(fā)EUV
 

　　在貿(mào)易戰(zhàn)之前，中國(guó)已經(jīng)處于大型晶圓廠擴(kuò)張計(jì)劃之中。根據(jù)SEMI的“世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告”，在2017年和2018年，中國(guó)有18座晶圓廠正在建設(shè)中。終，這些晶圓廠建成了。
 

　　據(jù)SEMI稱，中國(guó)目前在建3個(gè)晶圓廠。“其中兩個(gè)晶圓廠用于鑄造。一個(gè)是8英寸，另一個(gè)是12英寸。還有一個(gè)用于存儲(chǔ)的內(nèi)存(12英寸)。SEMI的分析師Christian Dieseldorff表示，還剩下7個(gè)。
 

　　晶圓代工業(yè)占中國(guó)晶圓廠產(chǎn)能的很大一部分。中國(guó)的鑄造業(yè)分為兩類：國(guó)內(nèi)和跨國(guó)廠商。
 

　　臺(tái)積電和聯(lián)電都是跨國(guó)公司。臺(tái)積電在上海經(jīng)營(yíng)200mm晶圓廠。臺(tái)積電于2018年開(kāi)始在南京的另一家工廠出貨16nm finFET.
 

　　聯(lián)電正在蘇州的200mm晶圓廠生產(chǎn)芯片。聯(lián)電在廈門也有一家新的300mm鑄造廠，出貨量為40nm和28nm.
 

　　同時(shí)，中國(guó)的國(guó)內(nèi)代工廠商，例如ASMC,CS Micro和華虹集團(tuán)，都專注于成熟的工藝。處于地位的初創(chuàng)公司HSMC正在研發(fā)14nm和7nm芯片。
 

　　根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，中國(guó)進(jìn)的代工公司中芯是第五大代工供應(yīng)商，僅次于臺(tái)積電，三星，GlobalFoundries和聯(lián)電。直到去年，中芯進(jìn)的工藝還是28nm平面技術(shù)。相比之下，臺(tái)積電在十年前推出了28nm。時(shí)至今日，臺(tái)積電在研發(fā)方面已將5nm提升至3nm.
 

　　這是中國(guó)的痛處。由于落后，中國(guó)OEM必須從國(guó)外供應(yīng)商那里獲得進(jìn)的芯片。
 

　　但中國(guó)成熟的流程與國(guó)外差距不大。D2S'Pang說(shuō)：“對(duì)于大多數(shù)晶圓廠來(lái)說(shuō)，技術(shù)節(jié)點(diǎn)差距不是問(wèn)題，因?yàn)樵谖锫?lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用中使用的大多數(shù)芯片都不需要前沿節(jié)點(diǎn)。”
 

　　盡管如此，中芯仍在嘗試開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝。2015年，中芯，華為，Imec和高通在中國(guó)成立了一家研發(fā)芯片技術(shù)合資企業(yè)，計(jì)劃開(kāi)發(fā)14nm finFET工藝。
 

　　這是很大的一步，這一舉動(dòng)對(duì)于繼續(xù)擴(kuò)展至關(guān)重要。
 

　　“遷移到14nm的finFET并不容易。每個(gè)人都為此感到掙扎。” VLSI Research的Puhakka說(shuō)。“中芯也是如此，他們要做這個(gè)很難。”
 

　　在20nm處，傳統(tǒng)的平面晶體管已經(jīng)用盡了。這就是為什么英特爾在2011年轉(zhuǎn)向22nm的finFET晶體管的原因。與平面晶體管相比，F(xiàn)inFET的功率更低，速度更快，但制造起來(lái)也更困難，更昂貴。
 

　　后來(lái)，GlobalFoundries,三星，臺(tái)積電和聯(lián)電采用了16nm / 14nm的finFET.(英特爾的22nm工藝大致相當(dāng)于代工廠的16nm / 14nm.)
 

　　終，經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，中芯在2019年通過(guò)交付中國(guó)首批14nm finFET達(dá)到了一個(gè)里程碑。今天，14nm僅占SMIC銷售額的一小部分。“我們的客戶對(duì)14nm的反饋是積極的。我們的14nm產(chǎn)品涵蓋了低端應(yīng)用處理器，基帶和與消費(fèi)者相關(guān)的產(chǎn)品，涵蓋了通信和汽車領(lǐng)域。”中芯的聯(lián)合執(zhí)行官趙海軍和梁孟松在電話會(huì)議上說(shuō)。
 

　　但不得不說(shuō)的一個(gè)事實(shí)是，中芯已經(jīng)晚了。例如，應(yīng)用處理器是智能手機(jī)中進(jìn)的芯片。當(dāng)今的智能手機(jī)集成了基于7nm的應(yīng)用處理器。智能手機(jī)中的其他大多數(shù)芯片(例如圖像傳感器和RF)都基于成熟的節(jié)點(diǎn)。對(duì)于進(jìn)的應(yīng)用處理器，14nm并不具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。
 

　　IBS執(zhí)行官漢德?tīng)?middot;瓊斯(Handel Jones)說(shuō)。“如果看一下7nm的晶體管成本，十億個(gè)晶體管的成本從2.67美元到2.68美元不等。10億個(gè)14nm晶體管的成本約為3.88美元。因此，兩者成本差異很大。”
 

　　不過(guò)，14nm在其他市場(chǎng)上仍然可行。14納米技術(shù)可用于低端4G和5G智能手機(jī)，擁有適當(dāng)處理器和系統(tǒng)架構(gòu)的14nm可以用于5G基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。
 

　　現(xiàn)在，在政府的資助下，中芯正在開(kāi)發(fā)12nm finFET及其所謂的“ N + 1”。12nm是14nm的縮小版本。到年底，N + 1被稱為7nm技術(shù)。
 

　　Gartner分析師Samuel Wang說(shuō)：“中芯的N + 1相當(dāng)于三星的8nm,比臺(tái)積電的10nm稍好。”
 

　　但中芯今年實(shí)現(xiàn)N + 1可能性不大，到2020年底，12nm倒可能已準(zhǔn)備就緒。因此，中芯可能再次錯(cuò)過(guò)市場(chǎng)窗口。
 

　　但更重要的是，這不是的問(wèn)題。中芯還需要下一代光刻技術(shù)EUV。
 

　　美國(guó)近阻止了ASML將其EUV掃描儀運(yùn)送到SMIC。如果中芯無(wú)法獲得EUV,則該公司將停留在8nm / 7nm。
 

　　“根據(jù)瓦瑟納爾協(xié)議，美國(guó)阻止了EUV出售給中芯(去年)。我無(wú)法預(yù)見(jiàn)在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái)向中國(guó)運(yùn)送EUV的情況。但由于14納米僅占SMIC銷售額的1%，因此幾年來(lái)他們不再需要EUV技術(shù)。” Cowen and Co的分析師Krish Sankar說(shuō)。
 

　　中國(guó)為了超越7納米，所以正在開(kāi)發(fā)自己的EUV技術(shù)。其EUV子系統(tǒng)正在多家研究機(jī)構(gòu)中開(kāi)發(fā)。例如，去年中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所(CAS)描述了由千瓦激光驅(qū)動(dòng)的EUV的發(fā)展。2020年，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的研究人員發(fā)表了一篇論文“通過(guò)循環(huán)一致學(xué)習(xí)進(jìn)行EUV多層缺陷表征”。
 

　　VLSI Research的Puhakka表示：“圍繞EUV的不同組件進(jìn)行了大量研究。” “我認(rèn)為他們沒(méi)有先進(jìn)的可制造的EUV工具。開(kāi)發(fā)自己的EUV將是一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程。我不會(huì)說(shuō)永遠(yuǎn)不會(huì)，但這是一條漫長(zhǎng)而艱難的道路。”
 

　　其他人表示同意。“我認(rèn)為我們只能看到中國(guó)正在做的事情的一部分。就像冰山一樣，大部分都看不見(jiàn)。他們的院士發(fā)表了有關(guān)EUV技術(shù)的論文，但是我所看到的工作基本上只是理論上的。我認(rèn)為這里面有一些潛在的硬件。
 

　　在內(nèi)存方面的努力
 

　　與此同時(shí)，中國(guó)在內(nèi)存方面存在巨大的貿(mào)易缺口，即DRAM和NAND閃存。DRAM用于系統(tǒng)中的主存儲(chǔ)器，而NAND用于存儲(chǔ)。中國(guó)進(jìn)口了大部分內(nèi)存。英特爾，三星和SK海力士在中國(guó)經(jīng)營(yíng)內(nèi)存工廠，為國(guó)內(nèi)和市場(chǎng)生產(chǎn)芯片。
 

　　為了減少對(duì)國(guó)外內(nèi)存的依賴，中國(guó)正在發(fā)展其國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。2016年，YMTC出現(xiàn)了進(jìn)入3D NAND業(yè)務(wù)的計(jì)劃。CXMT目前正在擴(kuò)大中國(guó)的第一個(gè)本地DRAM.
 

　　兩者都是競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)，尤其是NAND.3D NAND是平面NAND閃存的后繼產(chǎn)品。與2D結(jié)構(gòu)的平面NAND不同，3D NAND類似于一個(gè)垂直摩天大樓，其中存儲(chǔ)單元的水平層堆疊在一起，然后使用微小的垂直通道進(jìn)行連接。通過(guò)堆疊在設(shè)備中的層數(shù)來(lái)量化3D NAND.隨著增加更多的層，系統(tǒng)中的位密度增加。但是，隨著添加更多層，制造挑戰(zhàn)將升級(jí)。
 

　　Lam Research執(zhí)行副總裁兼CTO Rick Gottscho表示：“擴(kuò)展3D NAND面臨兩個(gè)重大挑戰(zhàn)。“其中之一是，當(dāng)您沉積越來(lái)越多的層時(shí)，薄膜中的應(yīng)力會(huì)增加，這會(huì)使晶圓翹曲并使圖案變形。然后，當(dāng)您進(jìn)入雙層或三層時(shí)，對(duì)齊將成為更大的挑戰(zhàn)。”
 

　　而YMTC似乎已經(jīng)克服了其中一些挑戰(zhàn)。去年，YMTC交付了其第一款產(chǎn)品– 64層3D NAND設(shè)備。現(xiàn)在，YMTC正在采樣128層3D技術(shù)。
 

　　但相比之下，中國(guó)還是落后了。跨國(guó)公司正在發(fā)售92層/ 96層3D NAND設(shè)備，還在增加112/128層產(chǎn)品。
 

　　盡管如此，YMTC至少在中國(guó)的發(fā)展前景是非常好的， YMTC的芯片已被納入中國(guó)公司的USB卡和SSD中。TechInsights分析師Jeongdong Choe說(shuō)，“如果中國(guó)OEM采用YMTC的技術(shù)，可能會(huì)破壞NAND市場(chǎng)份額。”
 

　　不過(guò)，可以肯定的是，在成為主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之前，中國(guó)還有很長(zhǎng)的路要走。IC Insights總裁Bill McClean表示：“ IC Insights仍然極度懷疑該國(guó)是否能在未來(lái)10年內(nèi)發(fā)展出一個(gè)具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的大型本地存儲(chǔ)行業(yè)，而這幾乎可以滿足其存儲(chǔ)IC的需求。對(duì)于模擬，邏輯，混合信號(hào)和射頻也是如此。中國(guó)公司要在非內(nèi)存IC產(chǎn)品領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)要花費(fèi)數(shù)十年的時(shí)間。”
 

　　同時(shí)，中國(guó)出現(xiàn)了幾家中國(guó)的GaN和SiC供應(yīng)商。他們似乎是代工供應(yīng)商和材料供應(yīng)商，但顯然，這方面中國(guó)依然落后。GaN用于功率半導(dǎo)體和射頻，而SiC用于功率器件。
 

　　YoleDéveloppement的技術(shù)和市場(chǎng)分析師Ahmed Ben Slimane表示：“中國(guó)市場(chǎng)是電力電子行業(yè)的重要機(jī)遇，主要是在汽車和消費(fèi)電子領(lǐng)域。在電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的應(yīng)用推動(dòng)下，SiC器件開(kāi)始被中國(guó)的汽車制造商所采用，例如比亞迪在其Han EV模型中。在功率GaN行業(yè)中，小米，華為，Oppo和Vivo等中國(guó)智能手機(jī)OEM廠商已選擇采用GaN快速充電器技術(shù)。在中國(guó)強(qiáng)大的系統(tǒng)制造商的推動(dòng)下，考慮到當(dāng)前中美沖突的背景，在成本競(jìng)爭(zhēng)力和質(zhì)量提高方面，中國(guó)晶圓和設(shè)備生產(chǎn)商無(wú)疑處于有利地位。”
 

　　反過(guò)來(lái)，這又推動(dòng)了生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。YoleDéveloppement技術(shù)和市場(chǎng)分析師Ezgi Dogmus表示：“在電力電子市場(chǎng)中出現(xiàn)寬帶隙半導(dǎo)體之后，中國(guó)確實(shí)在推動(dòng)創(chuàng)新技術(shù)，并開(kāi)始建立其國(guó)內(nèi)價(jià)值鏈。” “在中國(guó)的功率SiC生態(tài)系統(tǒng)中，我們看到各種參與者都參與了晶圓，外延晶片和器件級(jí)別。這包括晶圓廠的Tankeblue和SICC,晶圓廠Epiwafer的Epiworld和TYSiC以及晶圓代工業(yè)務(wù)的Sanan IC等。關(guān)于功率GaN市場(chǎng)，從2019年開(kāi)始，我們見(jiàn)證了有競(jìng)爭(zhēng)力的GaN器件制造商的加入，例如Innoscience和快速充電器領(lǐng)域的各種系統(tǒng)集成商。”
 

　　中國(guó)封裝計(jì)劃
 

　　中國(guó)在封裝方面也有大計(jì)劃。JCET是中國(guó)大的包裝公司，它還具有其他幾個(gè)OSAT.
 

　　“中國(guó)的OSAT技術(shù)對(duì)于主流行業(yè)能力來(lái)說(shuō)是新的，與前端晶圓制造技術(shù)相比，這被視為縮小了技術(shù)差距。它們能夠支持幾乎所有流行的封裝類型。但新興的2.5D / 3D異構(gòu)集成技術(shù)在中國(guó)仍在開(kāi)發(fā)中，明顯落后于臺(tái)積電，英特爾和三星等者。”FormFactor的Leong說(shuō)。
 

　　如今，對(duì)于高級(jí)設(shè)計(jì)，業(yè)界通常使用芯片縮放來(lái)開(kāi)發(fā)ASIC.這可以在每個(gè)節(jié)點(diǎn)上縮小不同的功能，然后將它們打包到單片式芯片上。但是這種方法在每個(gè)節(jié)點(diǎn)上變得越來(lái)越昂貴。
 

　　業(yè)界正在尋找新方法。開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)的另一種方法是在高級(jí)封裝中組裝復(fù)雜的模具。隨著摩爾定律的放慢，與先進(jìn)封裝技術(shù)的異質(zhì)集成代表了中國(guó)追趕半導(dǎo)體的千載難逢的機(jī)會(huì)，” Leong說(shuō)。
 

　　后，網(wǎng)友對(duì)于以上觀點(diǎn)的看法也非常值得一看：
 

　　地球上沒(méi)有哪個(gè)國(guó)家可以在芯片制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自給自足，因此我發(fā)現(xiàn)本文有些誤導(dǎo)。中國(guó)正在做的事情比阿波羅計(jì)劃更具野心，目標(biāo)正在移動(dòng)，因此我懷疑他們能否取得成功。但是它們可能會(huì)破壞美國(guó)在供應(yīng)鏈中某些領(lǐng)域的壟斷(無(wú)論是中國(guó)公司還是通過(guò)激勵(lì)非美國(guó)公司)。
 

　　——GsGill

 

　　據(jù)我了解，包含美國(guó)技術(shù)的ASML EUV光刻工具的組成部分就是EUV源。因此，似乎沒(méi)有來(lái)源的ASML EUV工具將僅包含歐洲技術(shù)，因此不應(yīng)被美國(guó)禁令所涵蓋。如果是這樣，中國(guó)可以購(gòu)買沒(méi)有源代碼的ASML EUV工具，然后在工具中安裝自己的源代碼。
 

　　—— 邁克爾

 

　　對(duì)于中國(guó)而言，別無(wú)選擇。他們要不建立自己的技術(shù)，自己的半導(dǎo)體，而無(wú)需西方的投入，要不就永遠(yuǎn)受西方的力量支配。這意味著將來(lái)市場(chǎng)會(huì)更小，這意味著西方產(chǎn)品的成本會(huì)更高(因?yàn)橘?gòu)買者減少)。由于中國(guó)生產(chǎn)的產(chǎn)品多，他們可以決定從哪種部件購(gòu)買。由于勞動(dòng)力成本，西方生產(chǎn)的產(chǎn)品成本不變。如果沒(méi)有自動(dòng)化降低成本，西方國(guó)家將蒙受損失。
 

　　——Ponder

 

　　在當(dāng)前環(huán)境下，中國(guó)別無(wú)選擇，只能開(kāi)發(fā)本土解決方案。我認(rèn)為這比技術(shù)能力更根本。
 

　　從供應(yīng)方的角度來(lái)看，中國(guó)可能會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。但是，它們的國(guó)內(nèi)需求側(cè)市場(chǎng)具有巨大的增長(zhǎng)空間——如今無(wú)需“前沿*”即可利用這一市場(chǎng)。他們也可以輕松利用貿(mào)易壁壘來(lái)確保國(guó)內(nèi)成功。
 

　　隨著市場(chǎng)的分化，中國(guó)公司無(wú)需提供7nm和5nm形式的產(chǎn)品來(lái)“競(jìng)爭(zhēng)”。如果西方國(guó)家阻止了ASML EUV,那么他們可以在解決技術(shù)空白的同時(shí)，輕推國(guó)內(nèi)市場(chǎng)在采用更大規(guī)格的國(guó)內(nèi)產(chǎn)品中的采用。
 

　　——Robert R.Derber

 

　　當(dāng)我在文章中的某些場(chǎng)合讀到“中國(guó)永遠(yuǎn)不會(huì)成功……”之類的短語(yǔ)時(shí)，我不得不思考當(dāng)中所犯的重大錯(cuò)誤，這種不斷的自欺欺人和自大將是西方的損失。
 

　　——A.Krupp