關鍵詞: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金剛石、微波等離子體化學氣相沉積系統
CVD金剛石合成設備、納米晶金剛石、超納米晶金剛石、UNCD、NCD、MCD、
Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
超高 純度單晶、半導體、 摻雜、B-doping、N-doping、藍鉆、 粉鉆、黃鉆
型號：BJS150， 產地：歐洲
主要技術指標：
微波發生器：6 KW, 2.45GHz，脈沖功率模式可選
Ripple 2% at full power,
stability 1% at full power.
鐘罩型腔體：非常適合生長單晶和摻雜。
支持高功率密度等離子體
工藝氣壓：高達300mbar或更高
生長速率：高達50μm/h
氣 路：4條基本氣路，分別為H2, O2, CH4, Ar;
可以最多增加額外3條氣路
樣 品 臺：適合兩英寸襯底，高度精密可調，襯底旋轉可選
溫度測試：采用雙色紅外高溫計，范圍475℃-1475℃
精度 ≤±10℃。
真空系統：采用分子泵+干泵
真空度≤5×10-7mbar
漏率 ≤10-9 mbar/l/s.
控制系統：配套有全自動控制系統、工業電腦、必要的數據接口及操作軟件；
支持多級用戶權限設置和多用戶管理，系統支持設備的遠程操作和維護；
系統含故障報警及定位功能，能及時提示相應故障部件。
支持半自動和手動操作模式。
設備應用：具備多種用途，以滿足用戶科研需要；
適合生長雜質濃度低于1ppb的超高純度單晶，且有大量專業科技文獻佐證；
適合金剛石摻雜（硼、磷等）研究及光學級多晶窗口生長。
工藝培訓：原廠工程師現場演示金剛石生長，包括種子選擇、種子預處理、
種子的固定及生長工藝等培訓，并現場演示單晶生長；
原廠需具有高水平和豐富的金剛石生長工藝經驗。
