等離子表面處理設備使半導體去氧化膜的知識

氧化物半導體(oxide semiconductor)具有半導體特性的一類氧化物。氧化物半導體的電學性質與環境氣氛有關。導電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導體，是p型半導體;電導率隨還原氣氛而增加稱為還原型半導體，是n型半導體;導電類型隨氣氛中氧分壓的大小而成p型或n型半導體稱為兩性半導體。非單晶氧化物可用純金屬高溫下直接氧化或通過低溫化學反應(如金屬氯化物與水的復分解反應)來制備。氧化物單晶的制備有焰熔法、熔體生長法和氣相反應生長法。氧化物半導體ZnO、CdO、SnO2等常用于制造氣敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造濕敏元件;SnO2膜用于制做透明電極等。

等離子表面處理設備使半導體去氧化膜的知識

作為"新一代電子的基礎材料"而備受顯示器技術人員關注的就是氧化物半導體TFT。因為氧化物半導體TFT是驅動超高精細液晶面板、有機EL面板以及電子紙等新一代顯示器的TFT材料佳候選之一。預計早將在2012~2013年開始實用化，將來或許還會成為具備"柔性"和"透明"等特點的電子元件的實現手段。

氧化物半導體是通常容易成為絕緣體的氧化物，但卻具有半導體的性質。在眾多物質當中，受關注的是"透明非晶氧化物半導體(TAOS:TransparentAmorphous Oxide Semiconductors)"。非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)就是一個代表性例子。除了三星和LG顯示器等韓國企業外，日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企業也在致力于TFT的應用開發。