鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料，應用領域非常廣泛，尤其在新一代移動設備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器(LNA)、前置放大器(Preamplifier)、WLAN功率放大器等。由于SiGe技術具有高頻特性，現已廣泛應用在電子測試產品中，如泰克(Tektronix)公司的TDS7000系列高頻示波器，帶寬高達15GHz，那么什么是SiGe技術呢？

SiGe技術具有很多吸引力的優點。作為硅材料中的“小兄弟”，SiGe既擁有硅工藝的集成度和成本優勢，又具有第3類到第5類半導體(GaAs)和磷化銦(lnP)速度方面的優點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe半導體技術集成高質量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設計器件隨溫度進行變化。

實驗證明，SiGe器件的工作頻率可高達350GHz，而普通的硅芯片的工作頻率只能達到幾個GHz，而且其電池速度為普通硅半導體的2到4倍。SiGe器件還在噪聲、功效、散熱性能方面優于第3至第5類雙極晶體管，硅基片的熱導率是砷化鎵(GaAs)的3倍。

Ge現已成為越來越被廣泛應用的器件，其高頻特性、擊穿電壓和集成能力可以滿足多方面需要，是非常有前途的技術，能夠滿足一些可以預見的未來集成的需要。