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常用半導體材料的特性

來源:金湖天能自動化儀表有限公司   2011年01月14日 10:21  

半導體應變片以壓阻效應為主,半導體是摻雜的單晶硅、鍺、銻化銦等。幾種常用半導體材料的特性見表95-5。尤其是以單晶硅zui為常見,力作用在單晶硅上,由于壓阻效應,單晶硅電阻發生變化,單晶硅電阻的變化量與其所在的晶面位置有關,為提高傳感器的靈敏度,應在壓阻系數的晶面上制作壓敏電阻。常用的晶面有[111][110][100]

95-5    

名稱

電阻率ρ/Ω.cm

彈性模時E/×1011Pa

靈敏度

晶面

 

P

78

187

175

[111]

N

117

123

-132

[100]

 

P

150

155

102

[111]

N

166

155

-157

[111]

N

15

155

-147

[111]

 

銻化銦

P

054

 

-45

[100]

P

001

0745

30

[111]

N

0013

 

745

[100]

 

壓阻式壓力傳感器的結構,其核心為一塊有四個擴散電阻的單晶硅膜片,用一個圓形環固定,將兩個氣室隔開,兩個氣室分別與被測壓力相通,膜上布四個擴散電阻,組成一個測量電橋。

 

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