白話芯片漏電定位方法
 

　　芯片漏電是失效分析案例中常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導等手段是工程人員經常采用的手段。多年來，在中國半導體產業有個誤區，認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(laser scan Microscope).
 

　　目前激光誘導功能在業內普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請了專#li(日本OBIRCH、美國TIVA、新加坡VBA)。國內大多數人認為只有OBIRCH才是激光誘導，其實TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術。三種技術都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測出哪個位置的阻抗有較明顯變化，這個位置就可能是漏電位置。偵測阻抗變化就是用電壓和電流來反映，下面是三個技術原理：
 

　　1、OBIRCH和TIVA
 

　　如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V代表回路上的電壓。
 

　　OBIRCH；給器件回路加上一個電壓V，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監測回路電流I1的變化.
 

　　TIVA：給器件回路加上一個微小電流I1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監測回路電壓V的變化.
 

　　2、VBA技術
 

　　如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V1代表回路上的電壓，R2是串聯在回路中的一個負載，V2是R2兩端的電壓。
 

　　VBA：給器件回路加上一個電壓V1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監測V2的變化(V2/R2=I1，其實也是監測I1的變化)，這樣大家可以看出來了，VBA其實就是OBIRCH，只是合理回避了NEC專#li。