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τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配數字示波器;用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質的重要檢測項目。
設備組成
1.光脈沖發生裝置:
重復頻率>25次/s
脈 寬>60μｓ
光脈沖關斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）
脈沖電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.高頻源:
頻 率：30MHz低輸出阻抗
輸出功率>1W
放大器和檢波器:
頻率響應：2Hz～2MHz
3.配用示波器：
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續可調。
測量范圍：
可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）
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