涂建國
一.產品簡介
HDS-II雙路斷路器模擬試驗儀將兩組相互獨立的模擬斷路器置于同一機箱,可模擬斷路器的三相及分相操作、單跳閘線圈或雙跳閘線圈斷路器、開關自備投試驗以及開關拒跳/拒合等動作行為,適用于電力系統、工礦企業、科研、教學院所等,作為繼電保護及自動裝置試驗中代替實際斷路器之用。在保障繼電保護試驗的正確性、可靠性的同時,可大幅減少實際斷路器的動作次數,提高整組試驗工作效率。
兩組模擬斷路器均直接提供A、B、C相模擬的跳/合閘線圈輸入端,一對斷路器位置輸出的常閉接點和常開接點。通過面板操作選擇模擬斷路器的手動跳閘/合閘、跳/合閘線圈電阻、跳/合閘時間、單相/分相動作相預置選擇等功能,從而模擬斷路器的跳/合閘動作。
HDS-II雙路斷路器模擬試驗儀提供獨立的110/220V隔離直流電壓輸出。
二.技術指標
1、供電電源:AC220V±10%
2、跳合閘輸入電壓:DC 40V≤ Vin ≤ 250V
3、跳/合閘線圈電阻選擇:100Ω、200Ω、400Ω
4、合閘時間選擇:20ms~180ms,步長20ms(當設置小于20ms時取為20ms)
5、跳閘時間選擇:30ms~90ms,步長10ms(當設置小于30 ms時取為30 ms)
6、常開/常閉輸出接點容量:DC110V/5A,AC220V/30A。
7、提供A相,B相,C相,AB相,BC相,CA相,ABC相等七種分相預置選擇和三相操作選擇。
8、隔離直流電壓輸出:DC 110V/220V,容量200W。
9、工作環境:溫度-10℃~+45℃,濕度90%不冷凝
10、體積:380(W)×250(H)×180(D)mm
11、重量:10Kg
三.使用方法
步驟一:
1、用模擬斷路器做保護整組試驗時,將保護屏上操作回路中的三相跳閘及三相合閘的外部出口斷開后,接入模擬斷路器各相對應的跳/合閘輸入端子,直流操作電源的負端接入模擬斷路器的黑色公共端(-)端子。注意到跳/合閘回路的公共端是獨立分開的。
2、接通220V供電電源。開機后模擬斷路器在“三相跳閘”狀態,位置指示燈綠燈亮。動作預置為“三相”操作。
步驟二:根據一次設備斷路器的跳/合閘時間和跳/合閘線圈的電流值設置和跳/合閘時間模擬斷路器參數:選擇所需模擬斷路器的跳/合閘回路電阻(100Ω、200Ω、400Ω)、跳閘時間(30 ms~90 ms)、合閘時間(20ms或~180 ms)、跳/合閘操作動作相選擇等。
1、跳/合閘線圈輸入端子相當于實際斷路器的跳/合閘線圈回路,跳/合閘線圈電阻通過回路電阻選擇按鍵選擇,儀器通電后跳合閘回路電阻是200Ω。
2、跳閘時間(30 ms~90 ms)步長是10 ms,跳閘時間數碼盤的數字乘以10 ms即是所設置的跳閘時間;合閘時間(20ms~180 ms)步長是20 ms,合閘時間數碼盤的數字乘以20 ms即是所設置的合閘時間。
3、動作相通過動作相選擇按鍵選擇,儀器通電后動作相為三相操作,對應指示燈是三相的亮。每按動一次將按照分相操作ABC相→A相→B相→C相→AB相→BC相→CA相→三相 循環順序選擇動作相,并相應指示燈點亮。
步驟三:面板設置有手動跳/合閘按鈕,模擬斷路器的手動跳閘、合閘。操作時動作相選擇對應的相跳/合閘。模擬斷路器在跳閘狀態時,跳閘指示燈(綠燈)亮。此時模擬斷路器位置開出量的常閉接點閉合,常開接點斷開。
模擬斷路器在合閘狀態時,合閘指示燈(紅燈)亮。此時開出量的常開接點閉合,常閉接點斷開。
步驟四:配合繼點電保護裝置和試驗裝置進行整組試驗。當任意一個跳/合閘回路有電流輸入時,根據預置的動作參數模擬斷路器動作狀態。
動作相選擇為三相操作時,任意一個相的跳/合閘輸入均使三相都動作。分相操作時,各相的跳/合閘輸入導致所選擇的動作相做相應動作,其他相狀態不變。
通過動作相選擇按鈕,選擇非輸入的動作相可模擬開關拒跳、拒合試驗。
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電暈放電的特征是伴有"嘶嘶"的響聲,有時有微弱的輝光,當導體表面上有很小的*存在時,就會生電暈放電。電暈放電可能指向其他物體也可能不指向某一特定方向。電暈放電時,*附近的電場強度很強,*附呼和浩特雙路斷路器模擬試驗儀選型近氣體被電離,電荷可以離開導體;而遠離*處場強急劇減弱,電離不*,因而只能建立起微小的電流。電暈放電的特征是伴 " 嘶嘶"的響聲,有時有微弱的輝光。電暈放電可以是連續放電,也可以是連續脈沖放電,電暈放電的能量密度遠小于火花放電的能量密度。在某些呼和浩特雙路斷路器模擬試驗儀選型情況下,如果升高*導體的電位,電暈會發展成為通向另一物體的火花。 成品檢驗耐壓試驗時,一定將導體部位插入銅接頭里,擰緊固定螺絲,使其牢牢固定于電纜頭部,用棉布醮取*將絕緣外露部分仔細擦凈,如果導體和高壓部位接觸不好也導致*電暈放電。在三根絕緣線芯做高壓試驗時,一定將絕緣介質分離開,防止電暈相互放電,在剝頭時嚴格按照操作規程,用刨刀從電纜端部向里剝削半導電屏蔽層,剝取絕緣及導體屏蔽,剝削長度 8.7/15KV 及以下大于15cm,12/20KV~20/35KV 為大于 20cm,剝離厚度要求以剛好剝去絕緣半導電屏蔽層為宜,注意后收刀動作,根部應圓整,不準有尖角,剝離后的絕緣部分不允許有較深的刀痕或黑色半導電屏蔽層殘屑。使用大終端時剝取絕緣和導體屏蔽應使導體露出 5cm 為宜,小終端僅需剝去外屏蔽,表面不準有任何*。