一.產(chǎn)品簡(jiǎn)介

      HDS-II雙路斷路器模擬試驗(yàn)儀將兩組相互獨(dú)立的模擬斷路器置于同一機(jī)箱，可模擬斷路器的三相及分相操作、單跳閘線圈或雙跳閘線圈斷路器、開(kāi)關(guān)自備投試驗(yàn)以及開(kāi)關(guān)拒跳/拒合等動(dòng)作行為，適用于電力系統(tǒng)、工礦企業(yè)、科研、教學(xué)院所等，作為繼電保護(hù)及自動(dòng)裝置試驗(yàn)中代替實(shí)際斷路器之用。在保障繼電保護(hù)試驗(yàn)的正確性、可靠性的同時(shí)，可大幅減少實(shí)際斷路器的動(dòng)作次數(shù)，提高整組試驗(yàn)工作效率。

    兩組模擬斷路器均直接提供A、B、C相模擬的跳/合閘線圈輸入端，一對(duì)斷路器位置輸出的常閉接點(diǎn)和常開(kāi)接點(diǎn)。通過(guò)面板操作選擇模擬斷路器的手動(dòng)跳閘/合閘、跳/合閘線圈電阻、跳/合閘時(shí)間、單相/分相動(dòng)作相預(yù)置選擇等功能，從而模擬斷路器的跳/合閘動(dòng)作。

    HDS-II雙路斷路器模擬試驗(yàn)儀提供獨(dú)立的110/220V隔離直流電壓輸出。

二.技術(shù)指標(biāo)

    1、供電電源：AC220V±10%

    2、跳合閘輸入電壓：DC 40V≤ Vin ≤ 250V

    3、跳/合閘線圈電阻選擇：100Ω、200Ω、400Ω

    4、合閘時(shí)間選擇：20ms~180ms，步長(zhǎng)20ms（當(dāng)設(shè)置小于20ms時(shí)取為20ms）

    5、跳閘時(shí)間選擇：30ms~90ms，步長(zhǎng)10ms（當(dāng)設(shè)置小于30 ms時(shí)取為30 ms）

    6、常開(kāi)/常閉輸出接點(diǎn)容量：DC110V/5A，AC220V/30A。

    7、提供A相，B相，C相，AB相，BC相，CA相，ABC相等七種分相預(yù)置選擇和三相操作選擇。

    8、隔離直流電壓輸出：DC 110V/220V，容量200W。

    9、工作環(huán)境：溫度-10℃～＋45℃，濕度90％不冷凝

    10、體積：380(W)×250(H)×180(D)mm

    11、重量：10Kg

三.使用方法

    步驟一：

      1、用模擬斷路器做保護(hù)整組試驗(yàn)時(shí)，將保護(hù)屏上操作回路中的三相跳閘及三相合閘的外部出口斷開(kāi)后，接入模擬斷路器各相對(duì)應(yīng)的跳/合閘輸入端子，直流操作電源的負(fù)端接入模擬斷路器的黑色公共端（-）端子。注意到跳/合閘回路的公共端是獨(dú)立分開(kāi)的。

      2、接通220V供電電源。開(kāi)機(jī)后模擬斷路器在“三相跳閘”狀態(tài)，位置指示燈綠燈亮。動(dòng)作預(yù)置為“三相”操作。

    步驟二：根據(jù)一次設(shè)備斷路器的跳/合閘時(shí)間和跳/合閘線圈的電流值設(shè)置和跳/合閘時(shí)間模擬斷路器參數(shù)：選擇所需模擬斷路器的跳/合閘回路電阻(100Ω、200Ω、400Ω)、跳閘時(shí)間(30 ms~90 ms)、合閘時(shí)間(20ms或~180 ms)、跳/合閘操作動(dòng)作相選擇等。

      1、跳/合閘線圈輸入端子相當(dāng)于實(shí)際斷路器的跳/合閘線圈回路，跳/合閘線圈電阻通過(guò)回路電阻選擇按鍵選擇，儀器通電后跳合閘回路電阻是200Ω。

      2、跳閘時(shí)間（30 ms~90 ms）步長(zhǎng)是10 ms，跳閘時(shí)間數(shù)碼盤(pán)的數(shù)字乘以10 ms即是所設(shè)置的跳閘時(shí)間；合閘時(shí)間（20ms~180 ms）步長(zhǎng)是20 ms，合閘時(shí)間數(shù)碼盤(pán)的數(shù)字乘以20 ms即是所設(shè)置的合閘時(shí)間。

      3、動(dòng)作相通過(guò)動(dòng)作相選擇按鍵選擇，儀器通電后動(dòng)作相為三相操作，對(duì)應(yīng)指示燈是三相的亮。每按動(dòng)一次將按照分相操作ABC相→A相→B相→C相→AB相→BC相→CA相→三相 循環(huán)順序選擇動(dòng)作相，并相應(yīng)指示燈點(diǎn)亮。

    步驟三：面板設(shè)置有手動(dòng)跳/合閘按鈕，模擬斷路器的手動(dòng)跳閘、合閘。操作時(shí)動(dòng)作相選擇對(duì)應(yīng)的相跳/合閘。模擬斷路器在跳閘狀態(tài)時(shí)，跳閘指示燈（綠燈）亮。此時(shí)模擬斷路器位置開(kāi)出量的常閉接點(diǎn)閉合，常開(kāi)接點(diǎn)斷開(kāi)。

模擬斷路器在合閘狀態(tài)時(shí)，合閘指示燈（紅燈）亮。此時(shí)開(kāi)出量的常開(kāi)接點(diǎn)閉合，常閉接點(diǎn)斷開(kāi)。

    步驟四：配合繼點(diǎn)電保護(hù)裝置和試驗(yàn)裝置進(jìn)行整組試驗(yàn)。當(dāng)任意一個(gè)跳/合閘回路有電流輸入時(shí)，根據(jù)預(yù)置的動(dòng)作參數(shù)模擬斷路器動(dòng)作狀態(tài)。

      動(dòng)作相選擇為三相操作時(shí)，任意一個(gè)相的跳/合閘輸入均使三相都動(dòng)作。分相操作時(shí)，各相的跳/合閘輸入導(dǎo)致所選擇的動(dòng)作相做相應(yīng)動(dòng)作，其他相狀態(tài)不變。

通過(guò)動(dòng)作相選擇按鈕，選擇非輸入的動(dòng)作相可模擬開(kāi)關(guān)拒跳、拒合試驗(yàn)。

更多產(chǎn)品詳情請(qǐng)咨詢武漢華頂電力設(shè)備有限公

型電流傳感器，具有相對(duì)較寬的檢測(cè)頻帶。由于其直接采用積分電阻，因此頻率響應(yīng)較快，適用于測(cè)量上升時(shí)間較短的脈沖電流信號(hào)。

羅氏線圈根據(jù)其結(jié)構(gòu)不同可分為撓性羅氏線圈、剛性羅氏線圈和PCB型羅氏線圈^[10-11]。撓性羅氏線圈以能夠*的撓性材料作為線圈骨架，將導(dǎo)線均勻喀什市雙路斷路器模擬試驗(yàn)儀出廠價(jià)繞在骨架上。測(cè)量時(shí)將骨架彎曲成一個(gè)閉合的環(huán)，使通電導(dǎo)體沖線圈中心穿過(guò)。這種線圈使用方便，但測(cè)量精確度低、穩(wěn)定性不高。剛性羅氏線圈采用剛性結(jié)構(gòu)線圈骨架，在結(jié)構(gòu)上更容易使得繞線能夠均勻分布，大大提高了抗外磁場(chǎng)干擾的能力，從而提高了測(cè)量的精確度。這種線圈的測(cè)量精確度和可靠性較高，但在實(shí)際使用中會(huì)受到現(xiàn)場(chǎng)安裝條件的限制。PCB型羅氏線圈是一種基于印刷電路板（PCB）骨架的羅氏線圈，相比傳統(tǒng)的羅氏線圈，其線圈密度、骨架截面積以及線圈截面與中心線的垂直程度都有極大提高，是一種高精度的羅氏線圈。這種線圈現(xiàn)在還處于起步階段，其實(shí)際應(yīng)用還有一定的距頻局部放電檢測(cè)基本原理

用于局部放電檢測(cè)的羅氏線圈稱為高頻電流傳感器，其有效的頻率檢測(cè)范圍一般為3MHz～30MHz。由于所測(cè)量的局部放電信號(hào)是微小的高頻電流信號(hào)，傳感器需要在較寬的頻帶內(nèi)有較高的靈敏度。因此HFCT選用高磁導(dǎo)率的磁芯作為線圈骨架，并通常采用自積分式線圈結(jié)構(gòu)^[13]。使用HFCT進(jìn)行局部放電檢測(cè)的等效電路圖如圖 5-2所示。其中為被測(cè)導(dǎo)體中流過(guò)的局部放電脈沖電流，M為被測(cè)導(dǎo)體與HFCT線圈之間的互感，L_s為線圈的自感，R_s為線圈的等效電阻，C_s為線圈的等效雜散電容，R為負(fù)載積分電阻，u_o(t)為HFCT傳感器的輸出電壓信號(hào)。

高頻電流傳感器局部放電檢測(cè)喀什市雙路斷路器模擬試驗(yàn)儀出廠價(jià)等效電路圖

在傳感器參數(shù)滿足自積分條件的情況下，忽略雜散電容C_s，計(jì)算可得系統(tǒng)的傳遞函數(shù)為^[1 （5-2）

其中N為線圈的繞線匝數(shù)。

因此，在滿足自積分條件的一段有效頻帶內(nèi)，HFCT的傳遞函數(shù)是與頻率無(wú)關(guān)的常數(shù)。并且，HFCT的靈敏度與繞線匝數(shù)N成反比，與積分電阻R成正比。

事實(shí)上，在高頻段C_s的影響是不能忽略的。在考慮C_s影響的情況下，系統(tǒng)的傳遞函數(shù)H(S)為：

      （