電阻性電流IR與電容性電流Ic的比值稱為介質(zhì)損耗角的正切值，用tanδ表示。

電介質(zhì)的損耗：絕緣介質(zhì)在交流電壓的作用下，介質(zhì)中流過電流，電介質(zhì)中的部分電能將轉(zhuǎn)變成熱能，這部分能量稱為電介質(zhì)損耗。做介質(zhì)損失測(cè)試是對(duì)設(shè)備絕緣狀況的有效判斷。

介質(zhì)損耗測(cè)試的辦法：測(cè)試介質(zhì)的損失角，即介質(zhì)上所做功產(chǎn)生的熱量對(duì)介質(zhì)絕緣的影響。

介質(zhì)中形成的電流分兩部分：一部分是電容的無(wú)功電流，另一部分是引起損耗的有功電流。

有功電流又分為三部分電流，分別產(chǎn)生三種損耗：

電導(dǎo)損耗：由通過介質(zhì)的電導(dǎo)電流引起的損耗；

極化損耗：極化過程中介質(zhì)的電荷在交變電場(chǎng)下反復(fù)排列，作周期運(yùn)動(dòng)時(shí)克服摩擦所形成的吸收電流引起的損耗；

游離損耗：氣體中的電暈，液體、固體中的局部放電生成的電流引起的損耗。測(cè)量CVT接線

測(cè)量CVT中間變壓器接線

測(cè)量串極式PT二次繞組接線

測(cè)量串極式PT支架接線

兩種接線的適用范圍:

   正接線適用于被試品整體可以與地隔離；反接線適用于被試品不能與地隔離時(shí)。

五、測(cè)量tanδ時(shí)影響測(cè)試結(jié)果因素和消除方法：

1、溫度和濕度的影響

2、電場(chǎng)干擾影響及消除方法：

   測(cè)試時(shí)排除電場(chǎng)干擾的方法主要有屏蔽、選相、倒相法、移相法和采用反干擾平衡干擾等方法。

3、避免外界磁場(chǎng)干擾

4、試品表面泄露的影響及消除方法：

   利用屏蔽環(huán)將表面泄露電流直接回流到試驗(yàn)電源，避免表面泄漏電流進(jìn)入儀器測(cè)量系統(tǒng)引起誤差。但是試驗(yàn)中一般不加屏蔽環(huán)，加了會(huì)改變等值電路，除非天氣潮濕需加屏蔽環(huán)。

六、試驗(yàn)結(jié)果的判斷及注意事項(xiàng)：

1、被試品容量較大時(shí)， tanδ測(cè)試不能有效反映試品中可能存在的局部缺陷。

2、注意溫度影響

3、試驗(yàn)電壓變化對(duì)tanδ測(cè)試結(jié)果的影響。