MDD56-18N1B：
MDD56-18N1B品牌：IXYS艾賽斯；
產地：美國品質；
批號：2015/2016預訂
價格：RMB面議；
數量：569PCS；
深圳市邁瑞施電子技術有限公司O755一328II887 ,Q 十119859,8287
封裝形式：IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；
公司擁有大量正規渠道的現貨庫存，建立起完善的國外采購流程，可接受客戶國外代購業務。
1，功率器件：
IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；
2，驅動器件：
CONCEPT IGBT驅動模塊、光耦、變頻器主控板、驅動板，
操作面板及延長電纜等配件以及富士制動單元;
3，快速熔斷器：
日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN；
4，工業大容量電容：
日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；紅寶石，
epcos艾普科斯、電解電容以及美國CDE無感電容；
5，傳感器：瑞士LEM電流傳感器，電壓傳感器，霍爾傳感器；
MCC56-08io1B
MCC501-18io1
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MCC26-16io8B
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MCC255-18io1
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MCC255-14io1
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MCC250-18io1
MCC250-16io1
MCC250-14io1
中文資料，技術參數， PDF datasheet,圖片。
