磁敏傳感器，顧名思義就是感知磁性物體的存在或者磁性強(qiáng)度(在有效范圍內(nèi))這些磁性材料除永磁體外，還包括順磁材料(鐵、鈷、 鎳及其它們的合金)當(dāng)然也可包括感知通電(直、交)線(xiàn)包或?qū)Ь€(xiàn)周?chē)拇艌?chǎng)。

　　磁敏傳感器的不同工作原理：

　　一、傳統(tǒng)的磁檢測(cè)中首先被采用的是電感線(xiàn)圈為敏感元件。特點(diǎn)正是無(wú)須在線(xiàn)圈中通電，一般僅對(duì)運(yùn)動(dòng)中的永磁體或電流載體起敏感作用。后來(lái)發(fā)展為用線(xiàn)圈組成振蕩槽路的。如探雷器，金屬異物探測(cè)器，測(cè)磁通的磁通計(jì)等(磁通門(mén)，振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì))。

　　二、霍爾傳感器

　　霍爾傳感器是依據(jù)霍爾效應(yīng)制成的器件。

　　霍爾效應(yīng)：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場(chǎng)作用時(shí)，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢(shì)差， 在經(jīng)過(guò)特殊工藝制備的半導(dǎo)體材料這種效應(yīng)更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應(yīng)的材料Insb(銻化銦)。為增強(qiáng)對(duì)磁場(chǎng)的敏感度,在材料方面半導(dǎo)體IIIV 元素族都有所應(yīng)用。近年來(lái)，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的。霍爾器件由于其工作機(jī)理的原因都制成全橋路器件，其內(nèi)阻大約都在150Ω~500Ω之間。對(duì)線(xiàn)性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。

　　Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而砷化鎵典型工作電流為2 mA。作為低弱磁場(chǎng)測(cè)量，我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越好。(因?yàn)殡娫粗車(chē)从写艌?chǎng)，就不同程度引進(jìn)誤差。另外，目前的傳感器對(duì)溫度很敏感，通的電流大了，有一個(gè)自身加熱問(wèn)題。(溫升)就造成傳感器的零漂。這些方面除外附補(bǔ)償電路外，在材料方面也在不斷的進(jìn)行改進(jìn)。

　　霍爾傳感器主要有兩大類(lèi)，一類(lèi)為開(kāi)關(guān)型器件，一類(lèi)為線(xiàn)性霍爾器件，從結(jié)構(gòu)形式(品種)及用量、產(chǎn)量前者大于后者。霍爾器件的響應(yīng)速度大約在1us 量級(jí)。

　　三、磁阻傳感器

　　磁阻傳感器，磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種磁敏傳感器。采用的半導(dǎo)體材料于霍爾大體相同。但這種傳感器對(duì)磁場(chǎng)的作用機(jī)理不同，傳感器內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng)方向與被檢磁場(chǎng)在一平面內(nèi)。(順便提醒一點(diǎn)，霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時(shí)應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響，而制造磁阻器件時(shí)努力避免霍爾效應(yīng)(在計(jì)算公式中，互為非線(xiàn)性項(xiàng))。

　　在磁阻器件應(yīng)用中，溫度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制備方面，磁阻器件由于與霍爾不同，因此，早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大，現(xiàn)在多制成單臂(兩只磁敏電阻串聯(lián))主要是為補(bǔ)償溫度漂移。目前也有全橋產(chǎn)品，但用法(目的)與霍爾器件略有差異。據(jù)報(bào)導(dǎo)磁阻器件的響應(yīng)速度同霍爾1uS量級(jí)。

　　磁阻傳感器由于工作機(jī)理不同于霍爾，因而供電也不同，而是采用恒壓源(但也需要一定的電流)供電。當(dāng)后續(xù)電路不同對(duì)供電電源的穩(wěn)定性及內(nèi)部噪聲要求高低有所不同。

　　磁敏傳感器的發(fā)展特點(diǎn)

　　1.集成電路技術(shù)的應(yīng)用。將硅集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁敏傳感器，制成集成磁敏傳感器。

　　2.InSb薄膜技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功，使得霍爾器件產(chǎn)能劇增，成本大幅度下降。

　　3.強(qiáng)磁體合金薄膜得到廣泛應(yīng)用。各種磁阻器件出現(xiàn)，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。

　　4.非晶合金材料的應(yīng)用。與基礎(chǔ)器件配套應(yīng)用，大大改善了磁傳感器性能。

　　5.巨磁電阻多層薄膜的研究與開(kāi)發(fā)。新器件的高靈敏度，高穩(wěn)定性，引起研制高密度記錄磁盤(pán)讀出頭的科技人員的極大關(guān)注。