擴散硅壓力變送器適合于危險易爆的領域和場所應用

擴散硅壓力變送器全部采用進口芯片，經過精心的結構設計，信號處理和組裝，并按照國家標準和企業標準，進行測試而生產出來的新一代測量元件。基本原理是利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產生微應變，電阻率發生變化，使橋臂電阻發生變化（一對變大一對變小）在激勵電壓信號輸出，經過計算機溫度補償、激光調阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產出具有標準輸出信號的壓力變送器。
該產品特點：
輸出穩定靈敏度高：一般應變式傳感器輸出僅為10mv左右，而擴散硅傳感器滿量程輸出為100mv左右，干擾及噪聲等因素影響相對較小，放大電路成本也相應降低，分辨率大大提高。零壓力附近無死區。
精度高，重復性好：擴散硅壓阻式壓力傳感器實現了壓力受感，壓力傳遞力一電轉換由同一元件上實現，無中間轉換環節，無壓力滯后，無機械位移變形，保證了極小的重復性和遲滯誤差，和良好的線性度，無蠕變、穩定、可靠、壽命長。
良好的溫度特性：由于采用了激光調阻，計算機補償等*技術和巧妙控制擴散濃度，實現滿量程溫度漂移（靈敏度溫度系數）自補償。克服了半導體晶片本身溫度系數大的缺陷，使變送器的零位和滿度溫漂達到了較高的水準，拓寬了使用溫區。
適合于危險易爆的領域和場所應用：擴散硅壓力傳感器，變送器具有低電流，低電壓，低功耗的特點，屬于本質安全防爆型產品，并已取得了國家安全防爆機構頒發的防爆證書。
高可靠性與抗干擾性能：產品由于采用了不銹鋼材質與特殊防護結構，和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護手段，提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環境的能力，*適合一般工業現場測量和控制的需要。

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