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據磁翻板液位計報導，日前，中環股份發布了晶硅材料三類新產品，*顆8英寸區熔硅單晶、直拉區熔太陽能電池用硅單晶和8英寸<110>晶向直拉硅單晶。據悉，這三項技術的成功突破，打破了國外對8英寸區熔硅單晶生長技術的封鎖。將進一步提升中國企業在這兩個范疇的競爭力，加速產業升級。
中國江蘇天能儀表了解到，區熔硅單晶已成為IGBT的主體功用性材料。IGBT是新一代的功率半導體器件，其技術應用的中心是經過電源頻率調制完成整機、裝置的控制和節能，其產品應用已掩蓋高速機車、新能源汽車、工業節能、新能源、節能家電等范疇。2010年中國IGBT市場范圍約70億元，未來估量將以25%以上的速度增長。目前有近20家區熔單晶制造商，其中前5位公司壟斷了產量95%以上。中環股份占領第三位，這次宣布制出的8英寸區熔硅單晶是國內*。
中環股份以半導體硅單晶材料、單晶硅光伏產品和半導體器件為主停業務。是國內歷史zui持久、綜合技術實力zui雄厚、產品種類zui豐厚的單晶硅材料制造企業。固然今年光伏產業面臨產能過剩及行業洗牌，但中環股份仍宣布將仰仗技術新一代直拉區熔法進軍太陽能電池硅單晶范疇。推停止業產業升級展開。
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