適用范圍：可用于鍍金，金剛砂，銀，銅，鋅,鎳,鉻,錫等電鍍中，也可用于氧化，電解，電泳，電鑄等，以及充電，教學(xué)試驗(yàn)等各種領(lǐng)域。
電鍍脈沖電源選擇
一般高頻脈沖定義為頻率大于5000 Hz，低頻為頻率小于500Hz，中頻則在500～5 000Hz之間。用于電鍍的脈沖電源多屬于中頻類型。當(dāng)使用頻率較低的脈沖電源時(shí)，其改善鍍層質(zhì)量的效果會(huì)稍差。所以，低頻脈沖電源多用于陽(yáng)極氧化或其他工藝，而較少用于電鍍，尤其是貴金屬電鍍。
當(dāng)使用頻率較高的脈沖電鍍電源時(shí)，脈沖前、后沿極易對(duì)導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間造成嚴(yán)重影響，從而影響脈沖電鍍瞬時(shí)高電位有利作用的充分發(fā)揮。例如：脈沖鍍金，頻率5000Hz(此時(shí)脈沖周期0.2 ms)，占空比20%，則導(dǎo)通時(shí)間為40μs，此時(shí)，假設(shè)脈沖前沿為最小的20μs(實(shí)際可能更大)，則其比例至少占到了導(dǎo)通時(shí)間的50%；若頻率大于5000Hz，占空比小于20%(脈沖鍍金時(shí)占空比很多時(shí)候選10%)，則前沿占導(dǎo)通時(shí)間的比例會(huì)更大，甚至前沿會(huì)大于導(dǎo)通時(shí)間，如此，脈沖電鍍改善鍍層結(jié)晶的作用肯定會(huì)受嚴(yán)重影響。實(shí)際脈沖電鍍貴金屬生產(chǎn)中，頻率多在1000Hz左右。
當(dāng)使用頻率更高的脈沖電源(上萬(wàn)或幾萬(wàn)赫茲)時(shí)，其輸出的電流多是如上圖所示的電流波形，實(shí)質(zhì)是一種直流電流，與能夠改善鍍層結(jié)晶的方波脈沖電流有本質(zhì)的區(qū)別
特點(diǎn)：
節(jié)電：效率≥90%，比硅整流省電達(dá)40%左右或比可控硅電源省電達(dá)20%左右。
節(jié)料：由于它的工作原理與普通電源不一樣，因此在達(dá)到相同表面要求的前提下，可節(jié)料達(dá)15%左右。
節(jié)時(shí)：由于采用高頻脈沖工作方式，電鍍*是在過(guò)電位下的電沉積，因此可節(jié)約時(shí)間達(dá)10%左右，提高工效。
高頻脈沖電源采用N+1方式多個(gè)并聯(lián)，(硅整流或可控硅電源不可以)，大功率、大電流可任意并用，效率更高。
高頻電源的穩(wěn)定性：由于采用了現(xiàn)代半導(dǎo)體雙極型器件(IGBT智能模塊)，其可靠性、安全性、穩(wěn)固性和長(zhǎng)時(shí)間工作壽命都大大加強(qiáng)和延長(zhǎng)，這也是硅整流或可控硅電源的。
高頻脈沖電源：其工作時(shí)，脈沖頂部非常之平，*是一條直線，紋波可小到0.5%，關(guān)斷時(shí)可對(duì)被鍍件進(jìn)行瞬間退鍍整平，因此克服了硅整流或可控硅電源的脈動(dòng)波紋及被鍍件表面的高低區(qū)，不會(huì)形成高的地方鍍層厚，低的地方鍍層薄的現(xiàn)象
脈沖參數(shù)
Q：周期 Ton：脈沖導(dǎo)通時(shí)間
Toff：脈沖關(guān)斷時(shí)間
f：頻率
Jp： 脈沖電流密度
Jm：平均電流密度
r%：占空比(導(dǎo)通時(shí)間與周期之比的百分?jǐn)?shù))
2.常用計(jì)算公式
①占空比：r%=(Ton/Q)×99%=[Ton/(Ton+Toff)]×99%
②平均電流密度：Jm=Jp×r% =Jp×[Ton/(Ton+Toff)]×99%
③頻率：f=1/Q=1/×(Ton+Toff) ④平均電流密度：Jm=Jp×r%
3.脈沖參數(shù)的選擇
⑴脈沖導(dǎo)通時(shí)間Ton選擇：
脈沖導(dǎo)通時(shí)間Ton是由陰極脈動(dòng)擴(kuò)散層建立的速率或由金屬離子在陰極表面消耗的速率Jp來(lái)確定。如果Jp大，金屬離子在陰極表面消耗得快，那么，脈動(dòng)擴(kuò)散層也建立得快，則Ton可短些，反之則取長(zhǎng)。但無(wú)論Ton取長(zhǎng)或短，只要大于tc(電容效應(yīng)產(chǎn)生的放電常數(shù))即可。
⑵脈沖關(guān)斷時(shí)間Toff選擇：
脈沖關(guān)斷時(shí)間Toff是受特定離子遷移率控制的陰極脈動(dòng)擴(kuò)散層的消失速率來(lái)確定。如果將擴(kuò)散層向脈動(dòng)擴(kuò)散層補(bǔ)充金屬離子使之消失得快，則Toff可取短些，反之則長(zhǎng)，但Toff只要大于tcd(電容效應(yīng)產(chǎn)生的時(shí)間常數(shù))即可。
⑶脈沖電流密度Jp的選擇：
脈沖電流密度Jp是脈沖電鍍時(shí)金屬離子在陰極表面的沉積速度，它的大小受Ton、Toff、Jm的制約，在選定Ton和Toff，并保持Jm/Jgg≤0.5這個(gè)比值，則希望Jp越大越好。
⑷脈沖占空比r%選擇：
脈沖占空比是由Ton和Toff及Q決定的，一般脈沖電鍍貴重金屬時(shí)，占空比選取10~50%為，脈沖電鍍普通金屬時(shí)，占空比選取25~70%。占空比的真正選擇要在實(shí)際試驗(yàn)后得到結(jié)果
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