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當(dāng)前位置:西安夏溪電子科技有限公司>>技術(shù)文章>>X射線光電子能譜分析儀(XPS)解決方案
測(cè)試原理:
XPS的原理是用X射線去輻射樣品,使原子或分子的內(nèi)層電子或價(jià)電子受激發(fā)射出來(lái)。被光子激發(fā)出來(lái)的電子稱為光電子。可以測(cè)量光電子的能量,以光電子的動(dòng)能/束縛能(binding energy,Eb=hv光能量-Ek動(dòng)能-w功函數(shù))為橫坐標(biāo),相對(duì)強(qiáng)度(脈沖/s)為縱坐標(biāo)可做出光電子能譜圖。從而獲得試樣有關(guān)信息。
1. 測(cè)試項(xiàng)目:全譜,精細(xì)譜,價(jià)帶譜,XPS深度刻蝕、微區(qū)XPS、
2. 樣品要求:(需提供樣品含有的元素,包括氧)
塊狀和薄膜樣品,需標(biāo)記好測(cè)試面(表面平整,樣品干燥),長(zhǎng)寬小于10mm,高度小于3mm(建議尺寸小于5×5×2mm,大尺寸樣品需確認(rèn));(塊體/薄膜樣品表面請(qǐng)用乙醇擦拭干凈或抽真空來(lái)樣,接觸空氣容易受C,N,O,Si等元素污染)
粉末樣品,不少于10mg(樣品需干燥);
磁性樣品可測(cè)試,需在測(cè)試前溝通。
XPS深度刻蝕需提供:提供詳細(xì)測(cè)試過(guò)程,刻蝕要求。如刻蝕能量、刻蝕次數(shù)、單次刻蝕時(shí)間等要求,如2kV能量,速率0.1nm/s,單次刻蝕300s后,總計(jì)刻蝕4次,采集刻蝕前、后的譜圖;
微區(qū)XPS需提供:測(cè)試區(qū)域200~300um或100~200um或50~100um或10~50um
3. 應(yīng)用范圍:用于各種有機(jī)和無(wú)機(jī)固體材料的表面元素和其價(jià)態(tài)的定性,定量分析,可用于腐蝕,摩擦,浸潤(rùn),粘接,催化,包覆,氧化等表面和界面過(guò)程的研究。
定性:元素種類及價(jià)態(tài)信息(可以分析除H和He以外的所有元素)
定量:半定量,屬于表面靈敏型測(cè)試
成像:元素XPS二維成像
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