DHRM1射頻磁控濺射鍍膜裝置
DHRM1射頻磁控濺射鍍膜裝置主要由濺射鍍膜室、真空抽氣系統、氣源進氣調節系統、襯底加熱溫度控制系統、射頻電源等部分組成。由于磁控濺射能夠**地控制工藝參數和提高膜層附著力、密度及均勻性，已成為沉積薄膜的重要方法之一，射頻磁控濺射具有沉積速率高，可以濺射任何材料，包括導體、半導體和介質材料等特點。由于在低氣壓下濺射，因此膜層致密、針孔少、純度高。
可開設的實驗
1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理；
2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍；
3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜。
主要技術參數
1、濺射鍍膜室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm3；
2、濺射鍍膜室本底真空：≤1Pa；濺射腔極限真空：6×10-1Pa；
3、濺射靶：Φ50mm，濺射靶臺和濺射靶可調距離：20～60mm；
4、基片加熱溫度可控范圍：室溫～300℃；
5、射頻源功率：500W，13.56MHz；
6、氣路系統：由兩路轉子流量計控制（可選配質量流量計）；
7、真空系統：2XZ-4型旋片真空泵，抽氣速率：4L/S，單相220V交流電源供電；
8、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執行相應保護措施；
9、供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。
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