DHDP1射頻CCP薄膜沉積裝置
DHDP1射頻CCP薄膜沉積裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統、氣源進氣調節系統、襯底加熱溫度控制系統等部分組成。
通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學氣相沉積）；理解CVD的成膜過程及要求，化學輸運反應的原理，等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式；了解該技術在電學、光學、微電子學等領域的廣闊應用前景。
可開設的實驗
1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應用；
2、硅系納米復合薄膜材料PCVD法制備；
3、電容耦合/電感耦合等離子體化學氣相沉積制備各種功能薄膜。
主要技術參數
1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm；
2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa；
3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W 13.56MHz；
4、氣路系統：由三路轉子流量計控制（可選配質量流量計）；
5、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控；
6、平行板電極：Φ70mm；
7、工作反應氣體：由電極板上微孔均勻導入；
8、真空抽氣系統：2XZ-4型旋片機械泵，4L/S，單相220V交流電源供電；
9、管道、閥門：材質使用不銹鋼和金屬波紋管；
10、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執行相應保護措施；
11、供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。
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