ISTMODEL878半導(dǎo)體元器件參數(shù)測(cè)試儀
ISTMODEL870/ISTMODEL878手冊(cè)式
各種半導(dǎo)體器件快速檢測(cè)/參數(shù)分選測(cè)試儀
自動(dòng)識(shí)別管腳極性和排序漏電分辯1NA,高壓偏置1099V,阻抗測(cè)量1TΩ.分立／在板檢測(cè).世界上**臺(tái),****. (一). ISTMODEL870半導(dǎo)體元器件參數(shù)測(cè)試儀可對(duì)半導(dǎo)體各種元器件提供一個(gè)快速完整的檢驗(yàn),使用者可以任意方向及排列插入被測(cè)件（插錯(cuò)插反均可）,只需按下二個(gè)健即可快速測(cè)知該元件的功能好壞, 自動(dòng)識(shí)別各管腳的極性和排序及有無漏電流的可能性． 其主要的設(shè)計(jì)目的是針對(duì)一般的使用者不必對(duì)被測(cè)元件的規(guī)格參數(shù)及所須的條件有所認(rèn)識(shí),亦不須費(fèi)時(shí)的輸入各項(xiàng)測(cè)試數(shù)據(jù).
870的漏電流量測(cè)均是各元件在使用上*常用且重要的參數(shù).計(jì)有下列各種:
三極管(Ices):集電極至發(fā)射極間的漏電流,此時(shí)基極與發(fā)射極短路以避免電路板或線路上的雜迅干擾.
二極管(Er):陽極至陰極反向偏壓時(shí)的漏電流.
模式管MOSFET(IDss):由DRAIN極至SOURCE極間的漏電流,此時(shí)間極(GATE)SOURCE短路.
可控硅(IDRM):由陽極至陰極正向偏壓的漏電流,當(dāng)此元件(閘流體)處于截止?fàn)顟B(tài)下場(chǎng)效應(yīng)管J-FET(IGss):閘極反向偏壓的漏電流DRan,SOURCE短路.
光電偶合器(Iceo):輸出端NPN三極管集電極至發(fā)射極間的漏電流,此時(shí)基極處于開路狀態(tài).
(二). ISTMODEL870在漏電流上的測(cè)試原理:是以固定低電壓源(30V)為偏壓,當(dāng)元件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)加在其對(duì)應(yīng)的管腳上,另一端則串入一靈敏度的電流計(jì),可由(nA)納安,(uA)微安至(mA)毫安共6檔,可全自動(dòng)換檔量程為0納安---40毫安.*高分辯力１nＡ.
一般良好的半導(dǎo)體元件,當(dāng)加在其上的電壓接近或超越其崩潰電壓時(shí),其漏電流才會(huì)急促的加大.30V的電壓對(duì)一般中小功能的元件來說其漏電電流是很小很小的(<50na),若測(cè)試結(jié)果達(dá)到微安(uA)或毫安(mA)級(jí),而已知的良品卻很小,對(duì)應(yīng)比較下,可大致確認(rèn)此被測(cè)件已呈老化(DEGENERATION)或處于擊穿(DEGRAKE)的狀態(tài),但在功能上還是能工作的不佳品,此種元件工作一久,溫升加大,漏電流更大直至燒毀為止．因此半導(dǎo)體的漏電流大小是*能影響其電路功效和使用年限,代表其品質(zhì)優(yōu)劣的主要因素,尤其對(duì)于一些用在高壓,高速開關(guān)上的元件至為重要.
該漏電流的上限可由同一型號(hào)已知的良品測(cè)量值為準(zhǔn)或參考元件的規(guī)格來判定. 870的漏電流測(cè)試由于電壓源的限制,可測(cè)知被測(cè)件有否漏電的問題,而不像878可測(cè)至一般良品的*高耐壓或漏電流的極限值,此仍是二者在此功能上的*大不同之處.
(三). ISTMODEL870除了對(duì)三極管,二極管,模式管場(chǎng)效應(yīng)管及可控硅,以300uS的脈沖,進(jìn)行動(dòng)態(tài)的功能測(cè)試,若測(cè)試通過,則自動(dòng)進(jìn)行漏電流測(cè)量,元件可任意的方向插入測(cè)試座,不必事先去辨認(rèn)元件各腳的功能極性或排列順序.相同的方式,對(duì)穩(wěn)壓二極管或正/負(fù)穩(wěn)壓源進(jìn)行輸出電壓的測(cè)量.由于ISTMODEL870在價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)及全自動(dòng)智能化的設(shè)計(jì),極適合一般技術(shù)維修人員操作,當(dāng)補(bǔ)拆下的懷疑元件放入測(cè)試后,可確信問題是否已被排除,做為一些維修站的基本配置勢(shì)必可行.
(四). 當(dāng)元件被焊在電路板上時(shí)可以三點(diǎn)探測(cè)器進(jìn)行在線測(cè)試,此方式*適合于表面粘的元件,首先須調(diào)整鑷子般的探筆,使其側(cè)置其上,以大姆指?jìng)?cè)壓筆身,食指置于筆上的按鍵上,再移動(dòng)短探棒至被測(cè)件的第三點(diǎn)上,當(dāng)確認(rèn)每點(diǎn)都通過或漏電流值太大時(shí)很有可能是由于線路上其他元件所造成,使用者須檢查電路圖或板上的連接狀況再下定論.在板檢測(cè)時(shí),ISTMODEL870
上是以低壓進(jìn)行的,當(dāng)不用時(shí)探筆須折除以負(fù)影響.
ISTMODEL878各種半導(dǎo)體器件快速檢測(cè)參數(shù)分選測(cè)試儀
(一). ISTMODEL878半導(dǎo)體元器件參數(shù)測(cè)試儀面板上的開關(guān)置于 FUNCTION 時(shí)它在使用上及各項(xiàng)功能就與ISTMODEL870相同,可快速便捷的檢測(cè)元件而不須對(duì)此元件各項(xiàng)參數(shù)及相關(guān)數(shù)據(jù)的了解,若須進(jìn)一步測(cè)試分析其他參數(shù)或須知參數(shù)在一特定條件下測(cè)量值時(shí),就必須將此開關(guān)置于 PARAMETER 上,則ISTMODEL878成為半導(dǎo)體器件在截止?fàn)顟B(tài)下(OFF-STATE)的參數(shù)測(cè)量?jī)x了,其可測(cè)試的參數(shù)如下:
| 元件種類 | 漏電流參數(shù) | 崩潰電壓 |
| 三極管 | Ices,Iceo,Icbo | BVces,BVceo, BVcbo |
| 二極管 | Ir | BVr |
| 模式管 | IGss, IDss | BVdss |
| 可控硅 | Idrm | BVdrm |
| 場(chǎng)效應(yīng)管 | IGss,IDss | N/A |
| 光偶合器 | Iceo | N/A |
本機(jī)在此時(shí)其電流計(jì)的精度,范圍與檔位與ISTMODEL870相同由0nA(納安)-40mA(毫安)共6檔.偏壓電壓,為二種可程控的電壓源0-30V,及30V-1099V.
(二). ISTMODEL878半導(dǎo)體元器件參數(shù)測(cè)試儀在測(cè)漏電流時(shí),本機(jī)要求輸入偏壓有高電壓檔的(30V-1099V)及(0-30V)的低電壓,由(0nA-40mA),使用者須對(duì)被測(cè)件的規(guī)格指標(biāo)有一定的了解,以便測(cè)知其*大極限值,若所給的電壓過高多余降在限流電阻上,所以實(shí)際加在元件上的電壓與使用者先設(shè)定的電壓會(huì)有不同,但本機(jī)會(huì)將此電壓與流過的漏電流實(shí)際量測(cè)顯示出來,以提供*真實(shí)**的結(jié)果.在崩潰電壓的測(cè)量過程中由于所設(shè)定的電流值過高,以致高壓源升得過高而造成元件的二次崩潰,本機(jī)可自動(dòng)偵測(cè)并實(shí)際量測(cè)出來,如此可以避免由于使用者輸入過高的測(cè)試條件而造成被測(cè)件或儀器的受損.
(三). 當(dāng)面板上的開關(guān)置于功能上時(shí)ISTMODEL878就變?yōu)?**的ISTMODEL870,所有的功能及操作方式都相同,若置于參數(shù)這邊,則ISTMODEL878就為一個(gè)功能強(qiáng)大的21種參數(shù)測(cè)量?jī)x,如果測(cè)試結(jié)果的上限或下限數(shù)據(jù)被輸入本機(jī)的話,則它可成為一個(gè)自動(dòng)辨別好與壞的測(cè)試儀.(GO/NO GO TESTER).878除了可程控的偏壓可達(dá)1.099VOLT的漏電流量測(cè)及快速的崩潰電壓搜尋外,尚可量二極管在50mA-1A的恒電流源下的導(dǎo)通壓降(Vf ILEAK)此項(xiàng)功能測(cè)量任二點(diǎn)的漏電流數(shù)值同時(shí)顯示所加在其上的電壓,由此二數(shù)據(jù)可由歐姆定律R=V/I 算出此二點(diǎn)間的阻值.因此可用于偵測(cè)在某一設(shè)定的偏壓下任二點(diǎn)的漏電流,或可測(cè)量一個(gè)器材或設(shè)備的輸入阻抗(1T歐).如;線纜,探頭,開關(guān),電路板,聯(lián)接器,絕緣材料等.
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