應用背景
高于絕對溫度零度的物體都可以輻射紅外線,當物體內部存在缺陷時,會使物體的熱傳導發生改變,導致物體表面溫度場的分布發生變化。紅外熱像儀可以檢測出被測目標表面溫度分布的變化,將這種變化以紅外熱圖序列的形式表現出來。通過對紅外熱圖序列的處理來探測缺陷的信息。可實現對金屬、非金屬及復合材料中存在的裂紋、脫粘等缺陷進行檢測,具有非接觸、檢測面積大、速度快、在線檢測等優點。
短波紅外成像主要基于目標反射光成像原理,其成像與可見光灰度圖像特征相似,成像對比度高,目標細節表達清晰,在目標識別方面,短波紅外成像是熱成像技術的重要補充;在0.9～1.7um波段內,激光光源技術成熟(1.06um.1.55um),這使得短波紅外成像在隱秘主動成像應用中具有顯著的對比優勢。
紅外應用
電子封裝缺陷檢測
在電子器件封裝和服役過程中，由于材料熱膨 脹系數的不匹配和封裝工藝載荷作用，在器件內 部容易出現諸如分層、裂紋和空洞等缺陷。封裝制 造過程中出現的這些缺陷影響產品良率，服役過 程中出現的缺陷嚴重影響器件的可靠性。因此，及 時發現和評估這些缺陷對于提高產品良率和可靠 性具有重要意義。
紅外熱成像技術具有非接觸性、非破壞性、直觀快速、全視場和較寬的動態測溫范圍等優點，已成功用于電氣設備、印刷電路板和電子封裝等無損檢測中給物體施加均勻的熱流，若材料的熱性質均勻，則材料表面溫度場處處一
致。如果材料中存在與基體材料熱性質（尤其是熱導率）不同的缺陷，熱流經過缺陷后，會導致缺陷處溫度異常，進而影響紅外輻射強度，利用紅外熱像儀進行溫度檢測，不同的溫度在紅外熱像上表現為不同的顏色或灰度。因此，分析被檢測物體的表面紅外熱像圖就可以推知材料內部的缺陷情況，從而對材料進行缺陷檢測和質量評估。
注塑件缺陷檢測
注塑成型是塑料制品最常見的成型方法之一， 近年來，隨著注塑制品在航空、航天、通訊產品等 高科技領域中的應用，人們對注塑制品的質量和 性能的要求越來越高。從而使得對成型工藝監控 和控制技術也都有了更高的要求。
在注塑成型加工過程中，通過紅外熱成像儀對注塑制品進行*方位的檢測和熱像采集，紅外熱像數據分析結果傳送給工藝參數調控模塊，對注塑加工過程的工藝參數實時調控。實現實時、準確、智能地監測注塑制品的質量水平，以及注塑工藝參數的智能調控。
半導體晶片和集成電路芯片缺陷檢測
半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體 之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療 儀器等領域有廣泛應用。常見的半導體材料有硅、 鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商 業應用上*具有影響力的一種。
由帶隙截止波長決定，半導體材料硅可被1100nm 以上波長的光透視，使得短波紅外成為檢測硅晶圓、硅錠和晶片成品損傷隱裂、 鍵合空洞、背面圖形、雙面對位偏差的*佳選擇，為半導體晶片和集成電路芯片 的缺陷檢測提供了一種無損的檢測方式，大大地提高了檢測效率，改進了生產 過程。
使用一臺短波紅外相機，配合發射波長在1150nm左右波段的光源，即可進行 硅錠或硅磚的內部雜質和結構的檢測。這是因為這種半導體材料不吸收能量 低、相對波長更長的短波紅外光子，而可見光光子則因具有更高的能量和相對 更短的波長被硅材料吸收，無法透過。這使得使用短波紅外相機成為半導體檢 測的優良檢測工具，可以直接檢測缺陷、雜質、孔洞或夾雜。
當硅錠進一步加工成為晶片時，硅錠中的雜質會對生產設備造成損害。通過短 波紅外相機的檢測，則可以有效避免類似的問題，從而確保更高的生產效率。
應用價值
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