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HRFZ-Si
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更新時間：2025-02-18 13:17:36瀏覽次數(shù)：3881次
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除了人造金剛石太赫茲高阻抗本征硅基片材料是適合極寬范圍從（1.2 µm） 到mm （1000 µm甚至8000um）波的各項同性晶體材料。和人造金剛石相比，它要便宜的多，并且生長制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THZ技術(shù)的快速發(fā)展，就基于該優(yōu)點。
太赫茲高阻抗本征硅基片產(chǎn)品介紹：
除了人造金剛石太赫茲高阻抗本征硅基片材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000um)波的各項同性晶體材料。和人造金剛石相比，它要便宜的多，并且生長制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THZ技術(shù)的快速發(fā)展，就基于該優(yōu)點。對于THZ應(yīng)用，我們提供在1000 µm (對于更長波長，3000甚至8000微米)透過率達(dá)到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區(qū)本征硅材料，和相關(guān)光學(xué)元件。
合成電解質(zhì)硅的介電常數(shù)由傳導(dǎo)率決定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THZ下，不同純度下的硅的介電常數(shù).低摻雜的介電常數(shù)接近真實值，大約等于高頻介電常數(shù)。隨著摻雜濃度的提高，真實的介電常數(shù)將變成負(fù)數(shù)，而且不能被忽略。介電常數(shù)表征的是THZ波的傳輸損耗特性。損耗系數(shù)可以用下面的公式計算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(shù)（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介電常數(shù)(11.67), R是電阻值。例如，1THZ下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數(shù)為1.54*10-5。
1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時域光譜儀測試數(shù)據(jù)
高阻抗本征硅產(chǎn)品
- 高阻抗硅襯底/基片/窗片
- 高阻抗硅球透鏡
- 高阻抗硅分束鏡
- 高阻抗硅鏡頭
1，高阻硅基片 2，高阻硅F-P標(biāo)準(zhǔn)具 
3，高阻硅太赫茲半球透鏡 4，高阻硅太赫茲彈頭型透鏡
5，高阻硅鏡頭 6，高阻硅棱鏡
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