山東中博自控設備有限公司
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特點一:浮動硅電容芯片采用之一的富士三代浮動膜盒技術，如圖所示;被測差壓通過導壓管進入變送器的高低壓保護室，保護室起到瞬間過壓保護作用，差壓信號通過毛細血管進入測量室再作用到測量膜片和浮動膜片上，隨著外加差壓的變化測量膜片產生與差壓成比例的微小位移
特點一:浮動硅電容芯片
采用之一的富士三代浮動膜盒技術，如圖所示;被測差壓通過導壓管進入變送器的高低壓保護室，保護室起到瞬間過壓保護作用，差壓信號通過毛細血管進入測量室再作用到測量膜片和浮動膜片上，隨著外加差壓的變化
測量膜片產生與差壓成比例的微小位移。硅膜片的作用相當于差動電容中的活動電極。在正常輸入差壓作用下，浮動膜片基本上是不動的，當檢測部件一側承受單向過載壓力時，浮動膜片產生位移，這樣就使用測量膜片的變形量減小。由于檢測部件的核心體是隨單向過載壓力浮動的，因此，在承受單向壓力時隔離膜片與基座波紋間被擠出的充灌液被吸收，測量膜片不會緊貼到對面的球形固定電極上，而是隔離膜片緊貼在與其吻合的基座保護波紋上不再移動。同時測量膜片和外殼沒有應力的連接，使得變送器的長期穩定性得到大幅度提高。這就是富士公司的單向保護、浮動膜盒機構。
特點二:優異的技術指標
可工作在微微差壓:1~10Pa;長期穩定性:差壓長漂0.1%/10年;超寬測量范圍:差壓1200:1;流量30:1以上;
特點三:
可測量多個參數(差壓、壓力、溫度、環境溫度)，在變送器內依據GB/T2624直接運算，同時數字通訊多個參數。允許雙向計量、協議計量、蒸汽品質甄別、干度補償、流出系數多段補償等專業功能；
用途
可應用于幾乎所有差壓式流量計，如孔板、噴嘴、V錐、彎管、巴類流量計等。
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