德國蔡司zeiss聚焦離子束掃描電子顯微鏡
低電壓電子束分辨率提升高達30%。
無論是二維表面成像或三維重構，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優異的表現。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓，Gemini光學系統可以在1kV下獲得高達1.4nm的分辨率，從而對任意樣品均可獲得優秀的圖像。可通過一系列的探測器表征您的樣品。

詳細介紹

德國蔡司zeiss聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）

型號：Crossbeam340/550

Crossbeam340/5 SEM的探測能力

低電壓電子束分辨率提升高達30%。

無論是二維表面成像或三維重構，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優異的表現。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓，Gemini光學系統可以在1kV下獲得高達1.4nm的分辨率，從而對任意樣品均可獲得優秀的圖像。可通過一系列的探測器表征您的樣品。通過*的Inlens EsB探測器，可獲取純的材料成分襯度信息。表征不導電樣品可以不受荷電效應的影響。

提高您的FIB樣品的測試加工效率

通過FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可提升高達40%。

在鎵離子類型的FIB-SEM中采用了大離子束束流。使用高達100nA的離子束束流可顯著節約時間，同時具有優秀的FIB束斑形狀，從而獲得高分辨率。得益于智能的FIB掃描策略，移除材料時高效且精準。可自動批量制取樣品，例如截面，TEM樣品薄片或任何使用者自定義的圖形。

在FIB-SEM分析中體驗優異的三維空間分辨率

體驗整合的三維能譜分析所帶來的優勢

可使用蔡司Atlas
5軟件擴展您的Crossbeam，它是一個針對快速而準確的三維斷層成像的軟硬件包。使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過程中進行能譜分析蔡司Crossbeam將Gemini電子束鏡筒和定制的聚焦離子束鏡筒結合起來，從而獲得高精度與速度。因此FIB-SEM的斷層成像可獲得優異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測器，探測深度小于3nm，可獲得表面敏感的、材料成分襯度圖像。