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河北興旭生物科技有限公司 ¥ 3000 【儀表網(wǎng) 儀表人物】導(dǎo)讀：中國集成電路事業(yè)的大旗都是誰在扛？這位學(xué)界女杰的名字一定少不了。她是清華大學(xué)第一批半導(dǎo)體專業(yè)高材生，目前仍在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻(xiàn)策。
集成電路是我國科技發(fā)展的重要組成部分，也是我國各行各業(yè)實(shí)現(xiàn)智能化、數(shù)字化的基礎(chǔ)。目前我國集成電路滲透到我國各個(gè)行業(yè)，例如工業(yè)機(jī)器人、5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、汽車電子以及計(jì)算機(jī)等重要科技領(lǐng)域，可以說集成電路是我國科技發(fā)展的基石，集成電路技術(shù)發(fā)展到位，我國才能夠在科技領(lǐng)域不受制于人。
要問，中國集成電路事業(yè)的大旗都是誰在扛？這位學(xué)界女杰的名字一定少不了。她是清華大學(xué)第一批半導(dǎo)體專業(yè)高材生，目前仍在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻(xiàn)策。她就是中國科學(xué)院院士、中國早期微電子學(xué)研究的開拓者吳德馨。
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吳德馨，女，半導(dǎo)體器件和集成電路專家，1936年12月20日生于河北樂亭，中國科學(xué)院微電子中心研究員。
1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子工程系。1991年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。1992年被國家科委聘為"深亞微米結(jié)構(gòu)器件和介觀物理"項(xiàng)目科學(xué)家。吳德馨院士從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究 ，曾獲國家和中科院一等獎(jiǎng)3項(xiàng)。
其在60年初，作為主要負(fù)責(zé)人之一，在國內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開關(guān)晶體管，所提出的提高開關(guān)速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣。六十年代末期研究成功介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運(yùn)算放大器模擬電路。
70年代末研究成功MOS4K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。在國內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術(shù)用于大規(guī)模集成電路的研制，并進(jìn)行了提高成品率的研究。在國內(nèi)突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。開發(fā)成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，創(chuàng)了檢測腐蝕接觸孔質(zhì)量的露點(diǎn)法。
80年代末期自主開發(fā)成功3微米CMOSLSI全套工藝技術(shù)，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路并研究開發(fā)成功VDMOS系列功率場效應(yīng)器件和砷化嫁異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管。
90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術(shù)，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。目前正在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究。
目前仍在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻(xiàn)策。
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