【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】PbS膠體量子點(CQDs)由于具有帶隙寬、可調(diào)諧以及溶液可加工性強(qiáng)等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于氣體傳感、太陽能電池、紅外成像、光電探測以及片上光源的集成光子器件中。然而PbS CQDs普遍存在發(fā)射效率低和輻射方向性差的問題，因此科學(xué)家們嘗試?yán)冒雽?dǎo)體等離子體納米晶或全介質(zhì)納米諧振腔來增強(qiáng)PbS CQDs的近紅外熒光發(fā)射，使其成為更高效、更快的量子發(fā)射器。但是普遍存在光場限制能力弱，Q值低的問題。
 

　　針對這些問題，近日中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所武愛民研究員團(tuán)隊與浙江大學(xué)金毅副教授團(tuán)隊合作在Nanophotonics發(fā)表最新文章，將BIC引入到PbS CQDs發(fā)光應(yīng)用中，提出了一種支持對稱保護(hù)BIC的硅超表面通過激發(fā)相鄰的高Q泄露導(dǎo)波模式來增強(qiáng)室溫下PbS CQDs的自發(fā)輻射的方案，實現(xiàn)了硅基量子點近紅外片上發(fā)光。
 

　　該超表面由亞波長尺寸的硅棒周期性排列而成(圖1a)，結(jié)構(gòu)具有各向異性且與偏振相關(guān)。其反射率是入射光角度和波長的函數(shù)，當(dāng)TE偏振激發(fā)時，對稱保護(hù)型BIC會出現(xiàn)在布里淵區(qū)的Γ點處(圖1b)，對應(yīng)的電場分布如圖1c所示。基于洛倫茲擬合方法分別從仿真和實驗反射譜中提取出Q值曲線(圖1d)，兩者趨勢一致，且激發(fā)的高Q導(dǎo)波模式可以有效的增強(qiáng)量子點的發(fā)射。由圖1e的實驗結(jié)果可以看出，制備的超表面使包覆的PbS CQDs的熒光輻射顯著增強(qiáng)，并且在波長1408 nm處的發(fā)射峰的Q值高達(dá)251。隨后，研究人員利用實驗簡單演示了該系統(tǒng)的傳感潛力。將稀疏度為4/1000 μm2，直徑為60 nm的Au納米顆粒隨機(jī)分布在涂敷PbS CQDs的超表面頂部，通過與不含Au納米顆粒的樣品相比，PL峰從1408 nm紅移到1410 nm，且強(qiáng)度出現(xiàn)明顯的增強(qiáng)(圖1f)。該研究成果不僅為實現(xiàn)支持BIC的介電超表面可以有效地增強(qiáng)PbS CQDs的發(fā)射性能提供了設(shè)計指導(dǎo)與實驗驗證，并為PbS CQDs在硅基片上光源和集成傳感器等各種實際應(yīng)用提供了新思路。
 

　　研究團(tuán)隊提出的基于BIC超表面增強(qiáng)PbS CQDs近紅外發(fā)射的新方法，是一種普適、高效、功能廣泛的方法。該方法證明了BIC系統(tǒng)在熒光增強(qiáng)方面的有效性，它是提高PbS膠體量子點在光源和熒光傳感器等各種應(yīng)用中的最好選擇之一。通過提高制造精度或者合并的BIC可以進(jìn)一步提高增強(qiáng)效果，并且可以通過改變幾何尺寸來調(diào)節(jié)工作波長。這種無源超表面結(jié)構(gòu)可以在商用CMOS平臺上以簡單的工藝制造，因此它可以結(jié)合到硅光子集成中，用于硅基片上光源以及熒光傳感器，在多通道通信，近場傳感和紅外成像等領(lǐng)域都有廣闊的應(yīng)用前景。
 

　　相關(guān)成果以“Fluorescence Enhancement of PbS Colloidal Quantum Dots from Silicon Metasurfaces Sustaining Bound States in the Continuum”為題在線發(fā)表在Nanophotonics (https://doi.org/10.1515/nanoph-2023-0195)上。
 

　　這項工作的作者包括 Li Liu, Ruxue Wang, Yuwei Sun, Yi Jin*, Aimin Wu*，其中上海微系統(tǒng)所博士研究生劉麗為該文章的第一作者，浙江大學(xué)金毅副教授和上海微系統(tǒng)所武愛民研究員為論文的共同通訊作者。上述研究工作得到了國家重點研發(fā)計劃項目(2021YFB2206502)、中科院青促會(2021232)、上海市學(xué)術(shù)帶頭人項目(22XD1404300)和國家自然科學(xué)基金委(61875174，62275259)的支持。
 

　　圖1：(a)硅超表面的結(jié)構(gòu)示意圖；(b)TE偏振激發(fā)時，反射率是入射角和入射波長的函數(shù)。在Γ處形成了一個對稱保護(hù)型BIC，對應(yīng)波長為1391 nm；(c)對稱保護(hù)型BIC的Ey電場分布。灰線表示結(jié)構(gòu)邊界；(d)與BIC相鄰的泄露導(dǎo)波模式在同一能帶上的Q值隨入射角度的變化。虛線為實驗結(jié)果，實線為仿真結(jié)果。插圖為硅超表面的SEM圖像；(e)在同一塊SOI襯底表面旋涂PbS CQDs，超表面結(jié)構(gòu)區(qū)域(黑色曲線)和無結(jié)構(gòu)區(qū)域(紅色曲線)的實測PL譜。插圖為頂部涂敷PbS CQDs的超表面的SEM圖像；(f)在超表面結(jié)構(gòu)上引入隨機(jī)Au納米顆粒前(紅色曲線)和后(黑色曲線)的實測PL譜。插圖為表面隨機(jī)分布Au納米顆粒的頂部涂敷PbS CQDs的超表面的SEM圖像。