- 封裝外形
CHIP/小型片狀
- 型號/規格
2G711D
- 材料
GE-N-FET鍺N溝道
- 用途
MOS-INM/獨立組件
- 品牌/商標
其他
- 溝道類型
N溝道
- 種類
結型(JFET)
- 導電方式
增強型
西安驪創電子科技有限公司
聯 系 人:馬文(女士)
手 機:
傳 真:
在 線:
地 址:西安市雁塔區太白南路269號中天B座2308室
西安驪創電子科技有限公司主要生產,經銷高、低頻大功率晶體管,高頻小功率晶體管,高反壓大功率晶體管、開關管,達林頓三極管等;3DD、3CD,3DK、3CK,3DG,3CG,FHD、DK,2SC、2SD、MJ、BU、2N、3DA等金封、塑封管兩種形式。
封裝形式有:B-1 B-3型、F1、F2、F3,F4、G3 G4、G5、TO-3P、TO-126、TO-220等形式,大量現貨庫存。質量*、信譽*,歡迎訂購.
特點:采用三重擴散工藝,抗燒毀能力強,二次擊穿耐量高,溫度穩定性好,抗熱疲勞強。
應用范圍:低速開關,低頻功率放大,電源調整。
質量等級:普軍
驪創三極管,質量,*,專業電子配套,具有十多年的配套銷售經驗,并被國內數十家制造廠定為合格供應商.公司備有大量現貨庫存,交貨及時。
外形封裝F-1型銅座 放大倍數紅橙黃綠藍紫
外形封裝F-2,G-3型銅座 放大倍數紅橙黃綠藍紫
外形封裝F-2,G-4型銅座 放大倍數紅橙黃綠藍紫
外形封裝F-4,G-4型銅座 放大倍數紅橙黃綠藍紫
外形封裝G-5型銅座 放大倍數紅橙黃綠黑白
集電極-發射極電壓VCEO A檔50V B檔100V C檔150V D檔200V E檔250V F檔300V G檔400V H檔500V I檔600V
放大倍數HEF:棕點7-15倍紅點15-25倍橙點25-40倍黃點40-55倍綠點55-80倍藍點80-120倍紫點120-180倍
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