采用A-B 1756-OA8E技術實時調試能量
TI的新型EnergyTrace++技術是*個能使開發人員為每個外設實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調試系統。這使工程師能控制自己的功耗預算并優化軟件,竭盡所能創造出能耗zui低的產品。這項新技術現在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69x MCU產品系列,并配備全新的低成本MSP430FR5969 LaunchPad開發套件。
借助A-B 1756-OA8E的*功能挑戰超低功耗
除具有顯著的節電優勢外,TI的MSP430FR59x/69x FRAM MCU產品系列還具有以下的特性,超出了開發人員的預期:
· 無限的可擦寫次數。*的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統非易失性存儲器解決方案的擦寫循環次數多100億次以上 — 擦寫周期超過了產品生命周期本身。
· 靈活性。FRAM具有*能力,使開發人員擺脫代碼和數據存儲器之間的傳統界限束縛。用戶無需再受限于業界標準閃存與RAM的比率或為增加的RAM需求支付額外費用。
· 易用性。FRAM可簡化代碼開發。由于FRAM無需預先擦除段,并可基于比特級被存取,使恒定的即時數據記錄成為可能。無線固件更新復雜程度降低,速度加快且能耗減少。
TI超低功耗FRAM MCU產品組合的特性與優勢
· A-B 1756-OA8E是*的非易失性嵌入式存儲器,可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。
· 借助引腳對引腳兼容性和可擴展的產品組合(由TI超低功耗MSP430™ MCU FRAM產品平臺內32KB至128KB的器件組成),使開發工作變得更輕松。
· 借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設兼容性,利用MSP430Ware™來簡化遷移。
· 可取代EEPROM,旨在設計出寫入速度更快、功耗更低且內存可靠性更高的安全產品。
· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數據傳輸。
· A-B 1756-OA8E適合開發人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應用手冊,以簡化從現有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。
入門
開發人員可通過涵蓋面齊全的培訓計劃(包含針對超低功耗平臺各個方面的在線培訓和現場培訓環節)開始使用TI的FRAM MCU產品組合。一系列深入細致的教程視頻將幫開發人員快速啟動設計并在設計周期的任何階段采用EnergyTrace++技術和開發工具對TI的FRAM MCU進行故障排除。
供貨情況
MSP430FR59x MCU可批量供貨。MSP430FR69x MCU現已開始提供樣片,并將在2014年第3季度用于正式批量生產。MSP-EXP430FR5969 LaunchPad與Sharp® 96 Memory LCD BoosterPack捆綁銷售。此外,MSP-FET也已開始供貨。
創新是A-B 1756-OA8E的核心
自從開創的工藝技術并添加*的系統架構、知識產權和實際系統的專業技術以來,TI 20余年如一日,通過超低功耗MSP430 MCU、實時控制C2000™ MCU、TM4x ARM® MCU與Hercules™安全MCU MCU不斷進行創新。設計人員可通過TI的工具生態系統、軟件、無線連接解決方案、多種設計網絡產品(Design Network)和來加速產品上市進程。
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