EMITECH K675X 三靶濺射鍍膜儀   ——高分辨率，大樣品鍍鉻或其它金屬  K675X濺射鍍膜系統裝有磁電管靶可增加濺射效率，它使用低電壓，可得到薄而精細的涂層。  在K675X中放置了三個靶面，可鍍非常大直徑的樣品，加上旋轉樣品臺，保證了均勻沉積。這種方式不需要特殊的靶面，而用標準標即可。  多靶系統在半導體晶圓工業尤為適用。它使用渦輪分子泵，前級為旋轉機械泵。集成的儀器面板及即插即用的電子學zui大的“up-time”，以及用戶友好設計，保證了多學科領域的應用。  濺射參數可預設，包括氣體放氣電磁閥。獨立的真空泵系統由儀器自動控制。它可用金作為濺射靶材，在需要預清洗或去除氧化層時，也可選用其它靶材，如鉻靶。  閘門作為標準配置，這樣在維持真空時即可進行濺射清潔和濺射循環。  儀器特點   ● 配置三個靶面  ● 渦輪分子泵抽氣系統  ● 全自動控制  ● Peltier冷卻濺射頭  ● 精細涂層（0.5nm Cr粒子）  ● 可傾斜的特殊旋轉臺作為標準配置  ● 薄膜沉積（典型為5nm）  ● 直徑為300mm腔室  ● 可選雙濺射頭  儀器優點   ● 可對大樣品進行鍍膜，如：8英寸晶圓  ● 可濺射易氧化金屬的精細顆粒，如：鉻或銥  ● 易操作  ● 無需水冷卻  ● 超高分辨率，可復制涂層  ● 適應各種樣品  ● 重復膜厚沉積  ● 樣品容易裝載和卸載，包括8英寸晶圓  ● 不需要打開真空即可進行兩種金屬順序涂層  技術規格  儀器尺寸：450mm W x 500mm D x 300mm H (總高 630mm)  工作腔室：硼硅酸鹽玻璃 300mm Dia. x 20mm H  安全鐘罩：聚碳酸酯  重量：42公斤  靶：54 mm 直徑 x 0.3mm 厚x 3(鉻作為標配靶材)  旋轉樣品臺：可調的6 至 8 英寸晶圓尺寸,到靶距離60mm  真空范圍：ATM-1x10-5 mbar  沉積電流范圍：0-450mA  沉積速率：0-15nm/分  濺射定時：0-4 分鐘  電源：230 伏 50Hz(包括泵zui大電流為8安培)        115 伏 60Hz(包括泵zui大電流為16安培)  Services   Argon - Nominal 10 psi；             Nitrogen- Nominal 10 psi (Argon may be used as common gas)  真空泵：No 2. 泵complete with Vac. Hose & Oil Mist Filter 35L/Min 2m3/Hr