每個(gè)部分的詳細(xì)技術(shù)介紹參見(jiàn)以下介紹
應(yīng)用包括直接基板套寫(xiě)及微電子掩膜制造、微波電路、太赫茲技術(shù)、微機(jī)械、微流體、石墨和納米管技術(shù)等。
所述規(guī)格皆可定制
| LW405-A 激光直寫(xiě)型號(hào) | 標(biāo)準(zhǔn)型 | 緊湊型 | 臺(tái)式 | 選配 |
| zui大工作區(qū)域（mm） 激光直寫(xiě)機(jī)的工作區(qū)域可匹配各類掩膜或基板尺寸。包含一個(gè)真空倉(cāng)（倉(cāng)體表面通常根據(jù)客戶要求定制）。基板尺寸可以大于或等于工作區(qū)域。 | 150x150 （6”x6”） | 150x150 （6”x6”） | 50x50 （2”x2”） | up to 350x350 |
| 定位精度 （µm） 這一參數(shù)代表的是在整個(gè)工作區(qū)域的定位誤差以及由于不同的掩膜或工藝水平所可能導(dǎo)致的特征重疊。但這與所達(dá)到的分辨率無(wú)關(guān)，如zui小線寬。 | ± 0.1 | ± 1 | ± 1 | |
| XY 激光干涉儀 10 nm分辨率 | Yes | No | No | |
| zui小線寬（µm） zui小線寬操作者可以在0.8、2、4或8 µm間進(jìn)行選擇。對(duì)于高密度互聯(lián)或微波電路的快速直寫(xiě)，可選擇一個(gè)極低分辨率的模式（10m）。 | 0.8 | 0.8 | 2 | |
| 曝光波長(zhǎng) （nm） 直寫(xiě)光束的標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)為405nm（來(lái)源于GaN固體激光）。對(duì)于生物化學(xué)應(yīng)用可選配325nm波長(zhǎng)（來(lái)源于He-Cd 氣體激光）。 | 405 | 405 | 405 | 325, 375, 405&375 |
| 防護(hù)層曝光 包含所有標(biāo)準(zhǔn)的含防護(hù)層的膜（鉻或氧化鐵）。除了掩膜直寫(xiě)，本系統(tǒng)也適用于在zui終基板上進(jìn)行無(wú)膜直接套寫(xiě)（硅、GaAs、InP、微波\低溫\生物學(xué)基板等）。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 在LDW 玻璃上曝光 LW405能套寫(xiě)過(guò)程基板如激光直寫(xiě)（LDW）玻璃膜（詳見(jiàn)http://www.canyonmaterials.com/ldw.html） | Yes | Yes | Yes | - |
| 曝光能量穩(wěn)定劑 持續(xù)監(jiān)測(cè)曝光水平使其在整個(gè)直寫(xiě)過(guò)程中保持穩(wěn)定。對(duì)于灰度曝光，持續(xù)保持參考水平。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 灰度能力 也提供可變的像素對(duì)像素曝光（灰度套寫(xiě)）用于制造衍射光學(xué)和MEMs等。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 可變分辨率 顯微光刻步驟中，有些過(guò)程可以利用減少的平面分辨率。典型的例子是使用粗糙表面作為基板（如：鋁）。激光直寫(xiě)系統(tǒng)分辨率的改變是通過(guò)替換光束聚焦器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，過(guò)程只需幾秒鐘。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 潔凈室組裝 每個(gè)光學(xué)器件、機(jī)械及電子子系統(tǒng)在組成激光直寫(xiě)單元之前都經(jīng)過(guò)仔細(xì)的清洗消毒。每個(gè)單元都是在潔凈室內(nèi)進(jìn)行組裝及測(cè)試，以此將在操作環(huán)境中顆粒釋放的可能性降到zui低。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 用作基板檢查站 每套系統(tǒng)包括一個(gè)CCD攝像頭以及相關(guān)的照明系統(tǒng)。使操作者可以使用激光直寫(xiě)作為一套表面檢查和計(jì)量的系統(tǒng)。還包含一個(gè)高分辨率的電子攝像頭以及相關(guān)的在線圖像捕捉和處理系統(tǒng)。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 激光聚焦 激光直寫(xiě)包含一套全自動(dòng)聚焦跟蹤系統(tǒng)。可用于動(dòng)態(tài)保持激光束聚焦在基板上，即使是凹凸或傾斜的情況。 | Auto | Auto | Manual | - |
| 在非平面樣品上的直寫(xiě) 這一選配用于低平整度或輕微凹凸基板上的顯微光刻操作。 | Yes | Yes | No | - |
| 在傾斜樣品上的直寫(xiě) 套寫(xiě)也可在輕微傾斜的樣品上進(jìn)行（zui大2°）。主要用于研發(fā)環(huán)境，如被粘在大尺寸夾具上的小樣品。盡管樣品本身是平面的，但是不平整的膠水層在激光束照射下仍能影響正交。在這種情況下，操作者能輕易指令機(jī)器在直寫(xiě)過(guò)程中按照基板的平面進(jìn)行。 | Yes | Yes | No | - |
| 標(biāo)記準(zhǔn)直 如果選擇無(wú)膜過(guò)程，所有不同的顯微光刻過(guò)程都在同一個(gè)工作樣品上進(jìn)行。為了使不同層圖案互相對(duì)其，在LaserDraw軟件包中包含一個(gè)特殊的步驟。每個(gè)新的圖案水平與樣品上已有的參考圖案相對(duì)齊。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 可選擇的全手動(dòng)控制 全手動(dòng)控制模式在系統(tǒng)作為檢驗(yàn)和計(jì)量站以及用于人工修整和光處理時(shí)很有用。 | Yes | Yes | Yes | - |
| CIF, DXF, GDSII 數(shù)據(jù)格式 激光直寫(xiě)由MICROTECH專有的數(shù)據(jù)格式驅(qū)動(dòng)—LDF（LaserDraw Format）—可由各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)語(yǔ)言自動(dòng)轉(zhuǎn)換，如 CIF, DXF, GDSII。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 光柵直寫(xiě)模式 標(biāo)準(zhǔn)的套寫(xiě)方式是基于光柵掃描結(jié)合光束-基板移動(dòng)（光束掃描模式或者基板掃描模式） | Yes | Yes | Yes | - |
| 矢量直寫(xiě)模式 在特定應(yīng)用是可選擇純矢量模式。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 地面振動(dòng)隔離 該系統(tǒng)可直接安裝在地面上。標(biāo)配含有被動(dòng)振動(dòng)隔離腳架。主動(dòng)振動(dòng)隔離可選配，通常用于臺(tái)式安裝。 | Yes | Yes | No | Active |
| 操作人員培訓(xùn)時(shí)間（小時(shí)） 提供負(fù)責(zé)人員的操作培訓(xùn)，由MICROTECH工程師直接監(jiān)管。 | 6 | 6 | 6 | - |
| 激光光刻課程 （hours） 針對(duì)所有系統(tǒng)，提供關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)和激光光刻的專業(yè)課程。該課程在設(shè)備安裝調(diào)試后，直接在客戶現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行。 | Yes | Yes | Yes | - |
| 安全聯(lián)鎖裝置和CE標(biāo)志 提供本地及遠(yuǎn)程緊急停止按鈕和聯(lián)鎖。所有系統(tǒng)組成符合規(guī)定并持有CE標(biāo)志保證安全操作及電磁兼容。 | Yes | Yes | Yes | - |
2D 應(yīng)用
3D 應(yīng)用
3-D 激光圖案生成器.
通過(guò)結(jié)合精確的基板旋轉(zhuǎn)和光柵激光曝光，就能得到一個(gè)導(dǎo)電或絕緣的圖案。MICROTECH已經(jīng)將這項(xiàng)技術(shù)運(yùn)用到以下實(shí)例：
- 在鍍有鈮的石英圓柱體上制造超導(dǎo)線圈
- 用于紅外探測(cè)陣列的液氮冷卻芯片載體
- 制造薄膜環(huán)形線圈用于電流感應(yīng)應(yīng)用
- 在鍍銅二氧化硅或陽(yáng)極化鋁上制造大直徑線圈用于翻印
