BJ2986 半導體分離器件測試儀

BJ2986 半導體分離器件測試儀產(chǎn)品特點：

      對于功率晶體管，通常要通過對熱阻、正偏二次擊穿、維持參數(shù)的測試，來確定由zui大允許電流ICM、集電極zui大允許耗功率PCM、正偏二次擊穿功率PSB和維持電壓VCEO（SUS）組成的直流安全工作區(qū)，對于軍用及高可靠功率晶體管，在完成上述工作后，按照國家標準及軍用標準的規(guī)定，還需加測標準所規(guī)定的直流脈沖及開關(guān)安全工作區(qū)的各項參數(shù)。例如在直流安全工作區(qū)中要檢測被測管工作時IC電流的變化率K及二次擊穿特性；在脈沖安全工作區(qū)要檢測管的抗脈沖能力；在開關(guān)安全工作區(qū)檢測被測管在規(guī)定的電阻及電感負載在飽和與截止之間的抗開關(guān)能力。本儀器就是根據(jù)上述三種安全工作區(qū)的檢測要求而進行設計的，適用于對硅NPN型功率管進行測試。

BJ2986 半導體分離器件測試儀技術(shù)指標：

（1） 直流及脈沖安全工作區(qū)：
測試功率：0~500W（RC壓降=0時）
               0~375W（RC壓降=VCE時）
VCE數(shù)字表：0~200V
IC數(shù)字表：0~5.00A（2檔）
K=IC2/IC1 數(shù)字表：0.500~1.500
脈寬τ：1mS~1S（4檔）    脈寬擴展：τ×1、τ×2、τ×5
占空比δ   1：2~1：64（6檔）
RC及RE：0.1Ω~4KΩ
（2） 開關(guān)安全工作區(qū)：
VBB：0~6.00V；        RBB：10 KΩ~1 KΩ（檔）
RC：2Ω~1 KΩ（9檔）  LC：0.1mH~30 mH(11檔，可串聯(lián)使用)；
VCE：0~2000V         IC：0~5A