功率半導(dǎo)體靜態(tài)特性測試系統(tǒng)國產(chǎn)品牌測試項(xiàng)目
二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管:V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE,輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下):IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至12kV)
0.1%精度測量
四線制測試
3、模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元
系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測量單元
4、測試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試
5、軟件功能豐富
上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測試項(xiàng)目模板,可直接調(diào)取使用
支持曲線繪制
自動(dòng)保存測試數(shù)據(jù),并支持EXCEL格式導(dǎo)出
開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集,可與第三方系統(tǒng)集成
6、擴(kuò)展性好
支持常溫及低溫、高溫測試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺(tái),溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用
普賽斯功率半導(dǎo)體靜態(tài)特性測試系統(tǒng)國產(chǎn)品牌,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測量、納安級(jí)漏電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
目前,武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍,并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測試需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。