功能特點
高效清洗技術
濕法清洗：采用化學藥液（如HF、HNO?混合酸）配合超聲波、高壓噴淋等技術，去除晶圓表面顆粒、金屬污染及氧化物。
干法清洗：通過等離子體轟擊（如O?、Ar等離子）去除有機物和微觀顆粒，適用于對化學殘留敏感的制程。
兆聲波技術：高頻振動產生空化效應，剝離頑固顆粒，清洗精度達0.1μm以下。
精準控制與均勻性
溫度/濃度監控：PLC系統實時調節藥液溫度（±0.1℃）、濃度，確保腐蝕均勻性（差異＜±1.5%）。
流體仿真設計：優化噴淋路徑，避免局部過蝕或清洗不足，適配8-12英寸晶圓。
干燥與防污染技術
熱氮吹掃：高溫氮氣快速干燥晶圓，避免水漬殘留。
IPA蒸干：利用異丙醇低表面張力特性，實現干燥，防止氧化。
環保與安全性
廢液回收：通過蒸餾、離子交換技術再生化學液，回收率＞90%，降低耗材成本。
材料防腐：采用PFA、PVDF等耐腐蝕材料，避免設備自身污染晶圓。
智能化與自動化
AI參數優化：基于機器學習預測污染類型，自動調整清洗強度和時長。
機械臂傳輸：全自動上下料，避免人工接觸污染，支持單片或批式清洗。
應用場景
光刻前清洗：去除硅片表面顆粒和氧化物，確保光刻精度。
蝕刻后處理：清除反應產物（如聚合物、金屬膜），避免影響下一制程。
CMP后清洗：去除拋光液殘留，防止劃傷晶圓表面。
封裝前清潔：確保芯片鍵合面潔凈，提升封裝可靠性。
制程適配：支持45nm以下節點（如3DNAND、FinFET）的納米級污染控制需求。
