常規屬性
- 采用圓形離子源對全部樣品區域在惰性或反應氣體環境下進行刻蝕
- 可進行離子束刻蝕（IBE、IBM）、反應離子束刻蝕（RIBE）和化學輔助離子束刻蝕（CAIBE）
- 刻蝕角度調整：樣品臺可以旋轉且傾斜可調
- 離子束具有準直性，垂直入射刻蝕時，無需修正擋板亦可獲得的均勻性
- 通過反應氣體可以提高刻蝕速率，并控制刻蝕選擇性
- 通過基于SIMS（二次離子質譜）或光學的截止點探測技術控制工藝
- 可以刻蝕光刻膠晶圓，具有良好的樣品冷卻配置
- 在不同的組合式布局中可以進行全自動載具操作。
- 可以適合各種傾斜光柵的刻蝕研發與生產
系統性能
scia Mill 200 | |
樣品尺寸 | ф200mm |
樣品夾具 | 水冷，氦背板冷卻 轉速：5 - 20 rpm 傾斜：0° - 175° 步長：0.1° |
離子源 | ф350mm圓形射頻源RF350-e |
中和器 | RF等離子體橋中和器N-RF |
參考刻蝕速率 | Pt: 35 nm/min Cu: 44 nm/min W: 17 nm/min SiO2: 20nm/min |
刻蝕均勻性 | ≦ 1% (σ/mean) |
產能 | 12 Wafer/h (100 nm SiO2 on 200 mm wafer) |
基礎真空度 | 5 x 10-7 mbar |
尺寸（不含電柜與真空泵） | 3.2 m x 2.5 m x 2.5 m （3個工作倉 + 晶圓載具） |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |
標準配置 | 1 個工作倉 |
配置選項
- 單片 Load-Lock（可選）， OES 或SIMS截止點探測器（可選）
-單片 Load-Lock（可選）；
-組合式布局可至3個工作倉和晶圓載具；
-OES 或SIMS截止點探測器（可選）
