2英寸Ga2O3氧化鎵外延片

詳細(xì)內(nèi)容
氧化鎵是新一代功率半導(dǎo)體和深紫外光電子半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為4.9eV,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于氮化鎵(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁帶寬度。在功率半導(dǎo)體方面,氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度可達(dá)8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用,已成為當(dāng)前研究與開發(fā)的熱點(diǎn)和重點(diǎn)。為此,我們提供2英寸Ga2O3外延片和2英寸的Ga2O3單晶襯底。
主要參數(shù)指標(biāo):
外延層 | 參數(shù)指標(biāo) |
摻雜劑 | Si (n-型) |
摻雜濃度 | 可在2x1016 和9x1016 cm-3之間 |
外延層厚度 | 在5和10μm之間 |
外延片襯底 | 參數(shù)指標(biāo) |
摻雜劑 | Sn (n-型) |
摻雜濃度 | 1~9x1018 cm-3 |
晶面 | (001) |
尺寸 | Φ2 英寸 |
厚度 | 0.65 mm |
XRD FWHM | ≦350 arcsec |
偏離角度 | 0°±1° |