薄層Ga2O3氧化鎵外延片

詳細內(nèi)容
氧化鎵是新一代功率半導體和深紫外光電子半導體材料,其禁帶寬度為4.9eV,遠遠大于氮化鎵(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁帶寬度。在功率半導體方面,氧化鎵的擊穿電場強度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化鎵的擊穿電場強度可達8MV/cm。 由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價值,氧化鎵材料和器件的研究與應(yīng)用,已成為當前研究與開發(fā)的熱點和重點。為此,我們提供薄層Ga2O3外延片和相應(yīng)的的Ga2O3單晶襯底。
主要參數(shù)指標:
外延層 | 參數(shù)指標 | |
摻雜劑 | Si (n-型) | 未摻雜(半絕緣) |
摻雜濃度 | 可在5x1016和 2x1018 cm-3之間的數(shù)值 | - |
外延層厚度 | 在0.1和0.5μm范圍之間的數(shù)值 | |
外延片襯底 | 參數(shù)指標 | |
摻雜劑 | Sn (n-型) | Fe(半絕緣) |
摻雜濃度 | 1~9x1018 cm-3 | - |
電阻率 | - | ≧1010 Ωcm |
晶面 | (010) | |
尺寸 | 10x15 mm2 | |
厚度 | 0.5 mm | |
XRD FWHM | ≦150 arcsec | |
偏離角度 | 0°±1° |