離子濺射儀集合了二極濺射模式之精華，并經(jīng)重新定義設(shè)計(jì)，的電流與真空度記錄曲線相結(jié)合可以進(jìn)行常規(guī)的樣品制樣，還可以滿足各種復(fù)雜特殊材料的樣品制備要求，對(duì)于高分子薄膜，地質(zhì)材料，半導(dǎo)體材料等各種樣品的制備可以輕松應(yīng)用。

穩(wěn)定可靠的硬件，始終如一　　                　人性化操作界面，易懂易用

　良好的擴(kuò)展功能，遠(yuǎn)矚　　                　低使用成本設(shè)計(jì)，經(jīng)濟(jì)實(shí)用　

濺射系統(tǒng)

*的高壓直流濺射/磁控低壓濺射              

高精密加工的金屬濺射靶頭                         

長(zhǎng)壽命額定功率的直流濺射電源

高精度的真空測(cè)量系統(tǒng)

高性能的真空控制系統(tǒng)

可程序化設(shè)定的濺射周期

離子濺射儀是制備SEM樣品和電極表面涂層廣泛使用的一種方法，具有快捷、高效、無(wú)污染和大面積制備等優(yōu)點(diǎn)。Microhezao離子濺射儀將成為大部分的物理或材料實(shí)驗(yàn)室樣品制備的一部分。

　　          外形尺寸： 424× 290×2 65 (mm）     工作電壓： 200-240VAC 50H z

　　　　　濺射電壓： DC2400V                           控制模式： 微處理器控制

　　　　　功率： 500W                                 濺射電流： ≤30 mA

　　　　　濺射時(shí)間： ≤600s                                極限真空 ： 0.1Pa

　　　　　工作真空： ≤30Pa                               膜層厚度： 內(nèi)置膜厚估算（金靶）

　　　　　真空測(cè)量： 電阻規(guī)   　　　　    　　 　真空 速 率： ＜2L /s

電源和環(huán)境要求

220V±10%，50/60Hz，

功率4KVA單獨(dú)地線＜30Ω（干燥地區(qū)＜10Ω）

溫度10-30℃（每小時(shí)變化＜5℃）
濕度 80%以下