設備特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；

大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯）；

高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；

豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；

配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；

數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；

模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；

可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；

可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發；

SiC靜態參數測試設備6000A組成

普賽斯靜態設備，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統采用普賽斯自主開發的測試主機，內置多種規格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數，以滿足不同測試需求。測試數據可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz。

設備參數

測試項目

集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試。

普賽斯SiC靜態參數測試設備6000A，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。