IC反應器工藝流程
混合區:反應器底端入水、顆粒污泥和氣液剝離區回流的污泥化合物合理地在這里區混和。
第1厭氧區:混合區產生的污泥化合物進到該區域,在高濃污泥的作用下,很大一部分有機物轉換為沼氣。溶液上升流和沼氣的強烈振蕩使該反應區域內污泥呈膨脹和流化情況,進一步加強了污泥表層接觸,污泥從而而保持著高的活性。隨之沼氣產量的增加,其中一部分污泥化合物被沼氣提高至頂部的氣液剝離區。
氣液剝離區:被提高的化合物中的沼氣在這里與污泥剝離并導出來處理體系,污泥化合物則順著回流管返還到下方端的混合區,與反應器底端的污泥和入水*混和,實現了溶液的內部結構循環。
第2厭氧區:經第1厭氧區處理后的污水,除其中一部分被沼氣提高外,其他的都經過三相分離器進到第2厭氧區。該區域污泥濃度較低,且污水中很大一部分有機物已在第1厭氧區被分解,所以沼氣產生量較少。沼氣經過沼氣管導進氣液剝離區,對第2厭氧區的振蕩較小,這為污泥的逗留出示了優勢條件。
沉淀區:第2厭氧區的污泥化合物在沉淀區開展污泥脫水,上清液由出水口排出去,沉淀的顆粒污泥返還第2厭氧區污泥