功率模塊構建和連接技術之所以不斷發展，一方面源于生產和加工模塊的成本控制措施，另一方面是出于對模塊性能不斷增長的需求。這包含對半導體靜態負載和短期負載的散熱。功率模塊通過高效冷卻能得到有效利用，高效冷卻是獲得大功率及低成本半導體的“必要條件“。
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IGBT結構仍與原始組裝方法密切相關。一個或多個陶瓷板DCB（直接銅綁定Direct Copper Bond）焊接到銅底板上， 銅底板也是散熱器的安裝表面。DCB包含一個兩側噴涂有銅的Al2O3或AlN薄絕緣基板。
芯片的底面焊接到DCB頂部（IGBT：集電極，二極管：通常為陰極）。平行的鋁綁定線將芯片頂部（IGBT：柵極和發射極，二極管：陽極）連接到DCB基板相應的襯墊上。有的模塊端子直接焊接到這些襯墊上，也有很多端子采用焊接連接或綁定連接機械固定在模塊外殼中。
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態，工作頻率較高，發熱量大，因此其故障率較高，又由于其價格較高，故代換IGBT管時，應遵循以下原則：首先，盡量用原型號的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡便 其次，如果沒有相同型號的管子，可用參數相近的IGBT管來代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數已經磨掉，可根據其額定功率來代換。
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