激光鍍膜設備
樣品傳遞機構、樣品架、旋轉靶臺、真空排氣、真空測量、電器控制、配氣、計算機控制等各部分組成。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。
簡單介紹：
激光鍍膜設備系統由真空腔室（主濺射室、進樣室）、樣品傳遞機構、樣品架、旋轉靶臺、真空排氣、真空測量、電器控制、配氣、計算機控制等各部分組成。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。
詳情介紹：
激光鍍膜設備用途：
用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。
技術參數：
主真空室 | 球型結構，尺寸Ø 450mm | |
進樣室 | 圓筒型立式結構，尺寸Ø 150x 150mm | |
真空系統配置 | 主真空室 | 分子泵與機械泵，閥門 |
進樣室 | 分子泵與機械泵（與主真空室共用），閥門 | |
極限壓力 | 主真空室 | ≦6*10-6Pa（經烘烤除氣后） |
進樣室 | ≦6*10-3Pa（經烘烤除氣后） | |
恢復真空時間 | 主真空室 | 20分鐘可達到5*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣） |
進樣室 | 20分鐘可達到5*10-3Pa（系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣開始抽氣） | |
旋轉靶臺 | 靶材*大尺寸約60mm；可一次安裝4塊靶材，可實現公轉換靶;每塊靶材可自轉，轉速5~60轉/分
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基片加熱臺 | 樣品尺寸 | Ø51 |
運動方式 | 基片可連續回轉，轉速5~60轉/分 | |
加熱溫度 | 基片加熱zui高溫度800Ｃ±1 C，可控可調 | |
氣路系統 | 質量流量控制器1路，充氣閥1路 | |
可選部件 | 激光器裝置 | 配相干201激光器 |
激光束掃描裝置 | 二維掃描機械平臺，執行兩自由度掃描 | |
計算機控制系統 | 控制的內容主要有公轉換靶，靶自轉，樣品自轉、樣品控溫、激光束掃描等 | |
設備占地面積 | 主機 | 1800 * 1800mm2 |
電控柜 | 700 *700mm2（1個）
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