納米硅材料研磨均質機，納米硅材料超高速研磨均質機，上海納米材料研磨均質機廠家超細納米研磨均質機
納米硅材料是本世紀科研的熱點材料物質，它一般情況下是一種無毒、無味、無污染的無機非金屬材料物質，通常為無定形的白色粉末，其粒徑為20-200nm。當硅的空間尺寸小到納米級時,在量子限制條件下,可能打破硅材料的晶格對稱性并使不同的動量態相互混雜,誘發有效的發光與光學增益態,從而獲得硅基材料的高效光發射。同時由于硅納米材料的分散性好，比表面積巨大，光學性能和化學穩定性優良,而廣泛應用于涂料、膠粘劑、橡膠、工程塑料等領域,本文重點介紹納米硅材料制備進展情況。
目前，納米硅材料的制備方法主要有氣相法、超臨界法、溶膠-凝膠法、溶劑熱法微、乳液法等。應用氣相法制備的納米硅材料純度較其他方法制備的高，但是由于利用這種方法制備成本高和在生產過程中能耗較大，所以一般都不采用這種方法來制備。微乳液通常是由表面活性劑、助表面活性劑、油、水等組分構成。
影響均質結果的因素有以下幾點
1 均質頭的形式（批次式和連續式）（連續式比批次好）
2 均質頭的剪切速率 （越大，效果越好）
3 均質頭的齒形結構（分為初齒，中齒，細齒，超細齒，約細齒效果越好）
4 物料在分散墻體的停留時間，乳化分散時間（可以看作同等的電機，流量越小，效果越好）
5 循環次數（越多，效果越好，到設備的期限，就不能再好）
線速度的計算
剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對速率。
剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s)
g 定-轉子 間距 (m)
由上可知，剪切速率取決于以下因素：
轉子的線速率
在這種請況下兩表面間的距離為轉子-定子 間距。
IKN 定-轉子的間距范圍為 0.2 ~ 0.4 mm
速率V= 3.14 X D（轉子直徑）X 轉速 RPM / 60
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由以上可以看出線速度對均質有著關鍵性的影響.根據一些行業特殊要求，依肯公司在ER2000系列的基礎上又開發出ERS2000超高速剪切均質機機。其剪切速率可以超過14000 rpm，轉子的速度可以達到41m/s。在該速度范圍內，由剪切力所造成的湍流結合專門研制的電機可以使粒徑范圍小到納米級。剪切力更強，乳液的粒經分布更窄。由于能量密度ji高,無需其他輔助分散設備.
均質機通過皮帶傳送，可實現兩到三倍的加速，同時立式直立的轉軸，運轉穩定性大大提高，同時轉子動平衡性得到提高，間隙也允許縮小而不產生摩擦。因此立式高剪切均質機有的乳化分散效果。根據其定轉子剪切的原理，還可以實現固體物料在液體介質中的粉碎，超細物料的均勻分散，以及加速大分子物質的溶解。經過特別設計的高剪切均質機也可以成為反應發生的場所，比如兩種液體物料反應生成固體顆粒，通過分別通入腔體，兩種物料接觸時被剪切成微滴，均勻混合后反應生成的粒子大小均勻，并且粒徑很小。
高剪切均質就是高效、快速、均勻地將一個相或多個相(液體、固體、氣體)進入到另一互不相溶的連續相(通常液體)的過程。而在通常情 況下各個相是互不相溶的。當外部能量輸入時，兩種物料重組成為均一相。由于轉子高速旋轉所產生的高切線速度和高頻機械效應帶來的強勁動能，使物料在定、轉子狹窄的間隙中受到強烈的機械及液力剪切、離心擠壓、液層摩擦、撞擊撕裂和湍流等綜合作用，形成懸浮液（固/液），乳液（液體/液體）和泡沫（氣體/液體）。從而使不相溶的固相、液相、氣相在相應成熟工藝和適量添加劑的共同作用下，瞬間均勻精細的分散乳化，經過高頻的循環往復，zui終得到穩定的高品質產品。
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立式高剪切均質機由1-3個工作腔組成，在馬達的高速驅動下，物料在轉子與定子之間的狹窄間隙中高速運動，形成紊流，物料受到更強液力剪切、離心擠壓、高速切割、撞擊和研磨等綜合作用，從而達到分散、乳化、破碎的效果。被加工物料本身和物理性質和工作腔的數量以及控制物料在工作腔中停留的時間決定了粒徑分布范圍及均化、細化的效果和產量的大小。
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